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作者: admin 时间: 2016-7-13 17:31
标题: CN200910077648-在碳化硅(SiC）基底上外延生长石墨烯的方法
在碳化硅(SiC)基底上外延生长石
墨烯的方法
申请号：200910077648.8
申请日：2009-02-10
申请(专利权)人中国科学院物理研究所
地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人陈小龙黄青松王文军王皖燕杨蓉
主分类号C30B29/02(2006.01)I
分类号C30B29/02(2006.01)I C30B23/02(2006.01)I
公开(公告)号101798706A
公开(公告)日2010-08-11
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003
代理人尹振启

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