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    <title>中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 - 新闻通知</title>
    <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=list&amp;catid=2</link>
    <description>Latest 20 articles of 新闻通知</description>
    <copyright>Copyright(C) 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟</copyright>
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    <lastBuildDate>Sat, 15 Aug 2026 07:52:03 +0000</lastBuildDate>
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      <title>中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟</title>
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      <title>AI算力电源迭代提速 宽禁带器件成刚需，MPS方案抢占算力电源赛道</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5160</link>
      <description><![CDATA[随着AI算力产业高速迭代，数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代，800V高压直流、48V中间母线架构全面普及，为电源系统带来全新挑战。在此背景下，SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位，成为AI算力电源的核 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 14 Aug 2026 02:31:05 +0000</pubDate>
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      <title>4英寸蓝宝石衬底上实现10 μm高质量、无裂纹的氮化铝薄膜</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5159</link>
      <description><![CDATA[氮化铝（AlN）凭借其优异的光学透过率、宽带隙（约 6.2 eV）和卓越的热稳定性等，在高效光电器件、超高压电力电子器件领域具有重要应用价值。因此，晶圆级体单晶AlN的制备备受关注，但目前仍面临严峻挑战。高温退火 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 14 Aug 2026 02:30:29 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>从公路到机架：800V电动汽车创新如何重新定义AI数据中心供电架构</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5157</link>
      <description><![CDATA[电动汽车向800V架构的转型加速了宽禁带半导体的商业化进程，带来了更长的续航里程、更快的充电速度和更高的电驱动效率。与此同时，AI数据中心正被推向越来越高的功率等级，以支持未来几代AI训练和推理。数据中心行业 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 14 Aug 2026 02:24:53 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>宽禁带科技论|单晶碳化硅晶片化学机械抛光技术对比研究</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5154</link>
      <description><![CDATA[2026-08-14 08:58·宽禁带联盟近日，广东技术师范大学付有志团队在《人工晶体学报》发表综述论文，系统比较了单晶碳化硅晶片化学机械抛光（CMP）及其复合强化技术的研究进展。SiC硬度高、化学惰性强，实现其原子级光 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 14 Aug 2026 02:14:00 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>超26亿！又有2家企业投建SiC项目</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5153</link>
      <description><![CDATA[近日，又有2家企业投建SiC项目，其中包括面向汽车和算力电源领域的SiC产品，意味着国内碳化硅迭代进程加快：悉智科技：2个SiC项目加速落地，合计投资20.5亿元；蓝辉科技：投资5.9亿元，在西安高陵建碳化硅材料生产研 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Wed, 12 Aug 2026 01:54:55 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>英飞凌RIC70115深度解析：专为卫星与高可靠性空间应用打造</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5152</link>
      <description><![CDATA[8月10日，Power Electronics News发布了对英飞凌RIC70115抗辐射GaN HEMT栅极驱动器的技术解析。该器件专为卫星及其他高可靠性空间应用设计。在线上媒体简报会上，英飞凌HiRel空间产品高级营销经理Blake Soileau和产 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Wed, 12 Aug 2026 01:53:24 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>IGBT芯片结构解说：看懂IGBT结构</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5151</link>
      <description><![CDATA[IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的名字听起来复杂，但从结构上看，它本质上是在功率MOSFET的基础上叠加了一层P型半导体，来引入&amp;quot;电导调制&amp;quot;效应，以降低导通电阻。理解这一点，就能理解IGBT结构的来龙去脉。本文从MOS ... ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Wed, 12 Aug 2026 01:48:57 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>Wolfspeed联手光宝抢滩800V数据中心</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5149</link>
      <description><![CDATA[近期，碳化硅芯片制造商#Wolfspeed 与电源解决方案供应商#光宝科技 宣布建立战略合作关系。根据双方协议，Wolfspeed的碳化硅MOSFET产品将被用于光宝科技800V DC sidecar及机架电源供应单元等平台，主要面向超大规模A ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Tue, 11 Aug 2026 02:51:40 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>富加镓业与芯长征集团达成战略合作，氧化镓产业化迈向全链协同</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5147</link>
      <description><![CDATA[日前，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）与江苏芯长征微电子集团股份有限公司（以下简称“芯长征集团”）正式签署战略合作协议。双方将围绕氧化镓“衬底—外延—器件—模块—应用”全链路协同创新， .. ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Tue, 11 Aug 2026 02:36:56 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>【科研速递】电子科技大学与深圳平湖实验室实现650V p-GaN HEMT短路性能创纪录突破， ...</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5146</link>
      <description><![CDATA[近日，电子科技大学与深圳平湖实验室的研究团队在650V肖特基p-GaN高电子迁移率晶体管上取得了创纪录的短路性能突破。相关成果发表于《IEEE Transactions on Power Electronics》。该器件在单次短路事件中实现了629微 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Tue, 11 Aug 2026 02:35:53 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5145</link>
      <description><![CDATA[今天这篇，2026年5月新鲜出炉的文章，来自西南交通大学，主要内容是同步整流模式下SiC MOSFET浪涌能力，先介绍背景，商用SiC MOSFET器件常以体二极管作为第三象限工作条件下的续流通路，然而SiC材料特性决定，器件体 .. ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Mon, 10 Aug 2026 06:34:11 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>宽禁带科技论|德国维尔茨堡大学：首次实现室温连续波工作的碳化硅半导体微波激射器</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5144</link>
      <description><![CDATA[近日，德国维尔茨堡大学Andreas Sperlich团队在《Nature Communications》发表研究论文，首次报道了基于4H-碳化硅中硅空位（VSi）的半导体微波激射器。该工作利用有源反馈回路提升谐振腔品质因子，实现了连续波激射 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Mon, 10 Aug 2026 06:30:49 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>SST的&quot;心脏&quot;之争：沟槽SiC vs 平面SiC，2026年路线分化加剧</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5143</link>
      <description><![CDATA[2026年，SiC MOSFET技术路线出现明显分化：三菱、博世押注沟槽，Wolfspeed、意法、安森美坚守平面。对SST整机厂来说，选哪条路线不是技术问题，是供应链安全问题。SiC MOSFET是SST的&amp;quot;心脏&amp;quot;。一台1MW级SST里，几 ... ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Mon, 10 Aug 2026 06:26:19 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>氧化镓全景解读| 外延产业化：HVPE与MOCVD的技术突破与现实挑战</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5142</link>
      <description><![CDATA[导读：我们从外延的基本概念出发，介绍了β-Ga2O3外延层在调控漂移区厚度、载流子浓度和器件电场分布方面的重要作用。外延技术连接着单晶衬底与功率器件，是β-Ga2O3材料性能转化为器件性能的关键环节。然而，从实验 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Mon, 10 Aug 2026 05:55:56 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>4家企业获车规级SiC订单</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5141</link>
      <description><![CDATA[近日，又有4家企业斩获车规级SiC订单，国内外车规级SiC商业化进程正持续提速：清纯半导体：再获国际车企新能源汽车主驱SiC MOSFET量产项目定点；臻驱科技：与大众变速器天津公司签署战略合作备忘录，围绕新能源汽车 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 07 Aug 2026 01:38:40 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>PowiGaN突破2200V：Power Integrations推出首款2.2kV横向GaN开关</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5140</link>
      <description><![CDATA[8月5日，Power Integrations宣布推出其PowiGaN产品组合中业界首款2.2kV横向GaN开关。该器件采用GaN-on-sapphire衬底和耗尽型共源共栅配置（搭配低压硅MOSFET），封装于InSOP-28D封装中。其在1760V下连续漏极电流为1. ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 07 Aug 2026 01:35:58 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>SiC器件准静态C-V测量：径用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5139</link>
      <description><![CDATA[基于Keithley 4200A-SCS与Clarius软件的Force-I QSCV方法解析简介电容 - 电压 (C-V) 测量被用于分析半导体材料以及半导体器件制造过程，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体(MOS) 方面。从 C-V 数据中可以提取出许多 M ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Fri, 07 Aug 2026 01:28:03 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>Carbon：金刚石异质集成技术推动β-Ga&#8322;O&#8323;功率器件热管理升级</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5137</link>
      <description><![CDATA[随着新能源汽车、高压电力电子、智能电网以及高频功率器件的发展，半导体材料正不断向更高耐压、更高功率密度方向演进。β-Ga&#8322;O&#8323;（β-氧化镓）作为一种典型超宽禁带半导体，其理论功率器件性能指标（BFO ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Thu, 06 Aug 2026 02:44:56 +0000</pubDate>
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    <item>
      <title>郑大解析纳米金刚石尺寸弹性效应，为量子与热管理器件开辟新思路</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5136</link>
      <description><![CDATA[郑州大学金刚石材料与器件团队在纳米金刚石弹性研究方面取得重要进展，揭示了纳米金刚石尺寸依赖弹性软化的原子尺度机制。相关成果以“Subsurface Driven Size-Dependent Elasticity in Nanodiamond”为题，发表在国 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
      <pubDate>Thu, 06 Aug 2026 02:43:10 +0000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>基本半导体与汉磊科技达成8英寸碳化硅战略合作</title>
      <link>http://www.iawbs.com/portal.php?mod=view&amp;aid=5135</link>
      <description><![CDATA[8月4日，基本半导体发布公告称，已与汉磊科技股份有限公司达成战略合作。根据公告，双方将基于此前长期合作的基础上，加快8英寸SiC晶圆的开发及量产，以提升碳化硅产品在新能源、汽车、AI算力中心等领域的市场份额。 ...]]></description>
      <category>新闻通知</category>
      <author>iawbs</author>
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      <pubDate>Thu, 06 Aug 2026 02:42:37 +0000</pubDate>
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