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下级分类:  公告通知|联盟动态
KAUST研制出宽禁带堆叠CMOS晶体管
KAUST研制出宽禁带堆叠CMOS晶体管
In the world of electronic advancements, a new technology called stacked CMOS transistors is making waves. Oxide semiconductors, known for their ability to work well in various conditions, are becomin ...
分类:    2024-1-16 09:30
团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》正式发布
团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》正式发布
2024年1月12日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《6~8 英寸碳化硅单晶抛光片》。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步,6英寸碳化硅单晶抛光片的生长质量和加工质量也得到进一步提升。另外国内8 ...
分类:    2024-1-16 09:10
宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代,设备厂商如何破局量产问题?
宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代,设备厂商如何破局量产问题?
宽禁带半导体大讲堂是宽禁带联盟携手机械工业出版社全新打造的聚焦于宽禁带半导体行业的精品活动,通过线下+线上同步直播的形式,为观众传播宽禁带半导体行业发展大事件、技术新突破、产业新进展、投资新观点,让观 ...
分类:    2024-1-16 09:08
Transphorm为何会被瑞萨电子选中?
Transphorm为何会被瑞萨电子选中?
1月11日,瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元(约24.27亿人民币)。sour ...
分类:    2024-1-15 10:11
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中科院物理所陈小龙团队:晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低 ...
分类:    2024-1-15 09:42
频签上游合作,英飞凌的扩产“底气”
频签上游合作,英飞凌的扩产“底气”
近日,据英飞凌官网消息,英飞凌已与碳化硅(SiC)供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。根据协议,SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆,支持SiC半导体的生产。在后续阶段,SK Siltron CSS ...
分类:    2024-1-12 09:32
宽禁带科技论|浙江大学在物理气相传输法生长碳化硅单晶初期 贯穿型位错形核机制研究方 ...
宽禁带科技论|浙江大学在物理气相传输法生长碳化硅单晶初期 贯穿型位错形核机制研究方 ...
半导体碳化硅(4H-SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高和热导率高等优异特性,在高频、高功率电子器件领域有重要应用前景。基于4H-SiC单晶制备的功率芯片将广泛应用于电动汽车、智能电网、轨道交通等领 ...
分类:    2024-1-12 09:25
一周晶体前沿——宽禁带半导体
一周晶体前沿——宽禁带半导体
面向科技前沿,聚焦人工晶体,汇集研究新进展!一周晶体前沿,一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览,我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ...
分类:    2024-1-11 09:47
宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开
宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开
2024年1月10日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)第六批团体标准送审稿评审会顺利召开,本次评审会采取线上评审的形式,分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级 ...
分类:    2024-1-11 09:31
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究
摘要:金刚石在应用于高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件方面具有显著优势,被业界誉为“终极半导体”。本研究使用微射流激光技术对单晶金刚石晶体进行切片加工,并采用亚纳米级白光干测仪进行材料形貌分析,当 ...
分类:    2024-1-10 11:15
比亚迪、蔚来改变SiC路线!它将成主流?
比亚迪、蔚来改变SiC路线!它将成主流?
最近小米汽车SU7正式亮相,细心注意的人会发现,他们主驱电控的SiC功率模块并没有采用常规的HPD三相全桥模块,而是采用了SiC半桥模块。据调研,除了小米外,比亚迪、蔚来、北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在转向Si ...
分类:    2024-1-10 09:29
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件,耐压能力大 ...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件,耐压能力大 ...
近期,北京大学团队研发增强型 p 型栅氮化镓(GaN)晶体管,并首次在高达 4500V 工作电压下实现低动态电阻工作能力。研究人员在 GaN 功率器件的表面引入新型有源钝化结构,在蓝宝石衬底成功制备具有该结构的新型器件 ...
分类:    2024-1-10 09:24
理想汽车与安森美续签长期订单!SiC加速上车
理想汽车与安森美续签长期订单!SiC加速上车
1月9日,安森美正式宣布与理想汽车续签长期供货协议。source:安森美据悉,理想汽车已在其增程式电动车型(EREV)中采用安森美成熟的800万像素图像传感器,而在此次协议签订后,理想汽车将在其下一代800V高压纯电车 ...
分类:    2024-1-10 09:18
SiC · 十二月大事记|SiC月刊
SiC · 十二月大事记|SiC月刊
分类:    2024-1-9 09:48
开个好年!SiC领域新增4起合作
开个好年!SiC领域新增4起合作
2024年开年,多家企业宣布就SiC达成合作,力争“开个好年”:●芯塔电子中科海奥:达成战略合作,推动SiC技术在光储的应用;●清软微视:国产SiC 检测设备成功中标高校研究院,已签订采购合同;●乾晶半导体中宜创芯 ...
分类:    2024-1-9 09:33

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