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碳化硅，功率半导体行业发展的新机遇
摘要碳化硅材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块 ...
分类:    2021-3-16 09:01
“十四五”规划全文正式发布！瞄准集成电路等前沿领域
集微网消息，3月13日，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（以下简称《纲要》）全文正式发布。《纲要》提出，以国家战略性需求为导向推进创新体系优化组合，加快构建以国家 ...
分类:    2021-3-16 09:00
闻泰科技：安世半导体与联合汽车电子就氮化镓领域达成深度合作
近日，闻泰科技全资子公司、全球功率半导体领先企业安世半导体宣布，其与国内汽车行业龙头公司联合汽车电子有限公司(简称UAES)达成合作，双方将在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作，以满足未来新能源汽车电源 ...
分类:    2021-3-16 08:59
今年，采埃孚将在中欧批量生产800V SiC功率电子
“采埃孚将在今年启动生产首批客户预定的800V SiC功率电子系统。”“我们准备在中国和欧洲批量生产。”近日，采埃孚发布其800V功率电子的最新消息。当全球越来越多的车企尝试引入改进的车载电源系统来满足电动汽车更 ...
分类:    2021-3-15 10:13
汽车功率半导体行业深度报告：5年近7倍空间，IGBT最受益
汽车功率半导体5年近7倍空间，IGBT最受益政策支持、节能减排双重驱动，新能源汽车加速渗透，预计 2025 年国内新能源汽车渗透 率将达到 20%，2030 年欧盟新能源汽车渗透率将达到 40%。汽车电动化趋势下车用功率 半导 ...
分类:    2021-3-15 10:13
丰田“零缺陷”6英寸碳化硅衬底将量产，价格将大幅下降？
最近，丰田通商株式会社正式宣布——成功开出“零缺陷”的6英寸碳化硅衬底，能够同时提高SiC衬底的良率和产能。而且他们的技术可以让任何尺寸、任意供应商的SiC衬底的BPD（基底面位错）降低至1以下。据“三代半风向 ...
分类:    2021-3-15 10:13
2021年SiC/GaN功率器件营收预测出炉
根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导 ...
分类:    2021-3-12 09:50
“十四五”计划中的氮化镓GaN
科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南（征求意见稿），其中涉及到氮化镓的有多个项目。2.2 面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件（共性关键 ...
分类:    2021-3-12 09:34
5G射频元件诞生半导体材料“新天王”，氮化镓和碳化硅接棒成热门
一台智能手机里面装了多少关键芯片？最为人所知的是处理器 AP、存储芯片 DRAM 和 NAND Flash; 其次是肩负信号接收、处理、传输的通信元件，主要由基频芯片、射频收发器、射频前端及天线四大部分组成。进入 5G，由 Su ...
分类:    2021-3-12 09:34
两会声音戴雅萍代表：在苏州布局国家级第三代半导体技术创新中心
戴雅萍十一届、十二届、十三届全国人大代表第三代半导体是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和关键电子元器件，在国家安全、国家经济安全 ...
分类:    2021-3-11 09:03
碳化硅的巨大注额
在2019年春季，SiC衬底材料和各种光电、射频和功率器件的开发商Cree以醒目的方式重新调整了自己的业务。这家公司相对较新的首席执行官格雷格·洛毫（Greg Lowe）毫不犹豫地将公司的照明产品部门卖给了理想工业公司(I ...
分类:    2021-3-11 09:03
通向成功的禁带：第三代半导体国产化为光伏带来新机遇
光伏产业正在迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”这样的“大时代”。大组串节省支架、土地和人工的效果明显，在组件价格触底且在系统比重越来越小的今天，意义越发凸显。索比咨询指出，目前第一轮的尺寸提 ...
分类:    2021-3-11 09:02
英国推出8寸硅基GaN HEMT代工服务，年产能70万片
该项目由化合物半导体中心(CSC)和纽波特晶圆厂(NWF)共同合作。英国研究与创新（UKRI）局正在支持化合物半导体中心有限公司（CSC）和纽波特晶圆厂（NWF）在200mm晶圆平台上提供代工级650V硅基GaN HEMT工艺。HEMT制造 ...
分类:    2021-3-11 09:02
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究进展
0 引 言更高电压、更高效率、更高功率密度代表了电力电子器件技术的发展主题。近年来新兴的宽禁带半导体材料成为工业界的热点，凭借优越的材料特性为电力电子器件技术带来了新的发展动力，其中以 SiC 为代表的宽禁带 ...
分类:    2021-3-10 14:44
碳化硅半导体2021年技术展望
随着宽禁带技术不断渗透到传统和新兴的电力电子应用中，半导体厂商一直在以惊人的速度开发其产品系列。其中一些已发布了多代技术产品。安森美半导体凭借其经证实的碳化硅(SiC) MOSFET器件性能和对客户一流的支持，是 ...
分类:    2021-3-10 14:44
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