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SiC仿真攻略手册——热仿真行为与对开关损耗影响的评估: 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在，通过引入物理和可扩展 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-2 09:54

「融资」中瑞宏芯半导体完成过亿元A+轮融资: 近日，中瑞宏芯半导体宣布完成过亿元A+轮融资，这是中瑞宏芯继今年10月份产投融资以来的又一融资进展。10月，中瑞宏芯半导体完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆领头公司禾迈股份和头部汽车电子供应商纳芯微联合 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-2 09:42

小米汽车亮相，SiC供应商都有谁？: 今日下午2点，小米汽车举行了技术发布会，针对万众瞩目的小米汽车SU7的各种亮点产品力进行了介绍。小米创办人、董事长兼CEO雷军在会上重磅发布了包括800V SiC技术在内的多项硬核技术。那么，小米汽车的碳化硅电机、 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-2 09:38

宽禁带半导体，演进的方向: 近年来，SiC和GaN正在成为功率半导体行业发展重点。但与此同时，行业厂商正在加紧各方面的布局，例如正在探索金刚石，氧化镓和更多发展的方向。开发金刚石MOSFET互补功率逆变器2023 年 12 月，Power Diamond Systems ...; 分类: 新闻通知 2024-1-2 09:36

日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展: 早稻田大学和 Power Diamonds Systems (PDS) 开发了一种结构，其中金刚石表面覆盖有氧化硅终端（C-Si-O 终端），当栅极电压为 0V 时，该结构会关闭晶体管。为此他们宣布开发出一种“常关”钻石 MOSFET。该成果由Hiro ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:41

SiC投融资 | 清纯半导体：完成数亿元Pre-B轮融资: 近日，清纯半导体宣布完成数亿元Pre-B轮融资，这是清纯半导体继今年4月份完成数亿元A+轮融资以来的又一融资进展。本轮融资由美团龙珠领投，老股东由复容投资领衔，包括蔚来资本、鸿富资产和泽森资本等持续加注，本次 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:40

昕感科技重磅首发业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件: 近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO- ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:31

西安交通大学：SiC MOS 在有源功率因数校正电路中的应用: 文章来源：韩芬（西安交通大学城市学院）摘要：为了提高开关电源的工作频率，降低开关损耗，减少电磁污染等，采用第三代半导体功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS，同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:50

上海微系统所发布面向5G/Wi-Fi 6异质集成双模SAW射频滤波器技术: 近日，第69届国际电子器件大会（IEDM 2023）在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为“Miniaturized Dual-Mode SAW Filters using 6-inch LiNbO3-on-SiC for 5G NR and WiFi 6”的 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:40

蔚来发布自研自产1200V SiC功率模块汽车！: 12月23日，蔚来汽车在NIO Day上发布行政旗舰车型ET9，成为蔚来旗下又一款搭载碳化硅（SiC）功率模块的车型。source:蔚来据介绍，ET9采用蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包， ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:34

8吋SiC新技术！产能增40%，成本降80%: 最近，日本举办了“SEMICON Japan 2023”展览会，有一项可用于 6 8吋SiC晶锭切割的新技术引起了多家媒体报道，据称可以降低20%的SiC晶锭切割损耗，衬底片产出可以增加40%，并且由于不需要使用金刚石磨料，加工材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:33

「GaN初识-2」GaN功率器件的分类、集成、封装解决方案: 上一期「GaN初识」栏目我们从概述与发展方面简单地了解了一下氮化镓，神奇的「氮化镓」。本期我们从三个角度出发：◎氮化镓功率器件：分类和运行◎氮化镓结构的集成◎封装解决方案01.GaN功率器件：分类和运行基于GaN ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:16

「GaN初识-1」神奇的「氮化镓」: 导读在一些电力电子应用中，宽带隙材料已开始取代硅。目前，氮化镓（GaN）可能是电力电子领域最具挑战性的技术，它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:09

中科院物理所陈小龙研究员获2023年中国科学院“年度创新人物”: 12月23日，中国科学院在2024年度工作会议上颁发了2023年度中国科学院杰出科技成就奖、青年科学家奖，公布了2023年中国科学院年度人物和年度团队，以及科技促进发展奖获奖名单。其中中国科学院物理研究所陈小龙研究员 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 09:31

全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶: 全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶―为β型氧化镓基板的大口径、高品质做出贡献―Novel晶体科技有限公司在全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓（β-Ga2O3）单晶 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-26 09:35

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