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等待有创意的你 北京城市副中心“新地标”公开征集顶层设计方案
北京城市副中心设计小镇创新中心公开征集顶层设计方案啦！欢迎有创意有想法的规划设计团队贡献优质的智慧园区设计方案以下是征集详情北京城市副中心设计小镇创新中心位于张家湾设计小镇西北角，是设计小镇重要组成部 ...
分类:    2020-9-10 16:42
氧化镓的光辉潜力（下）
问：您认为哪家公司会将第一批器件推向市场？日本的Flosfia？ AZ：我们的SPIE和Joule论文是关于β-氧化镓，它具有单斜晶体结构。而Flosfia正在研究α-氧化镓，它具有类似蓝宝石的六角形“刚玉”结构。那是一种完全不 ...
分类:    2020-9-10 10:12
氧化镓的光辉潜力（上）
美国国家能源可再生实验室高级工程师兼分析师Samantha Reese和科学家Andriy Zakutayev认为，由于衬底制造成本可与蓝宝石相媲美，而且超宽禁带有助于提高性能，氧化镓功率器件有可能通过提供更好的经济效益来取代那些 ...
分类:    2020-9-10 10:03
森国科将SiC器件作为革命性产品，以技术创新实现降本提效
新能源汽车、5G通讯等领域对功率半导体需求大增，与此同时对功率器件也提出了更高的要求，性能更优异的碳化硅器件迎来发展加速期。与传统解决方案相比，利用SiC的解决方案可使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密 ...
分类:    2020-9-10 09:48
汽车SiC功率半导体势不可挡
近日，DIGITIMES Research给出了一组数据：预计到2025年，电动汽车用碳化硅（SiC）功率半导体将占SiC功率半导体总市场的37%以上，高于2021年的25%。SiC 是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，令其成为 ...
分类:    2020-9-8 17:54
新基建到来，长沙链式布局抢占碳化硅未来
来源：长沙晚报一张光盘大小的形状、厚度仅0.5毫米的SiC(碳化硅)单晶衬底，却能解决“卡脖子”问题——今年，随着新基建风口的兴起，碳化硅的发展迎来新时代，基于碳化硅研发的电子元器件正更多地推广到车用电子、5G ...
分类:    2020-9-7 13:56
第三代半导体产业将写入“十四五规划”？众厂商积极卡位
据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产 ...
分类:    2020-9-7 13:54
SiC将会是分立器件和模块共存的市场
随着半导体材料步入第三代半导体时代，行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上，从特性上来讲，SiC和GaN的优势是互补的，应用覆盖了电动汽车（EV）、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。不 ...
分类:    2020-9-4 09:22
西电与武进国家高新区共建长三角化合物半导体创新基地
9月1日，西安电子科技大学与武进国家高新区签署协议，双方将在武进高新区联合建设长三角化合物半导体创新基地。中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院教授郝跃，市委书记齐家滨出席活动并讲话。市、区领导方国 ...
分类:    2020-9-3 09:30
北汽新能源率先用上第三代半导体零部件
随着新能源汽车的普及应用，动力及续航各项性能备受行业及用户关心，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料，凭卓越的性能吸引着世界零部件供应商和新能源汽车行业的注意。近日，区内企业北汽蓝谷新能源科技股份有 ...
分类:    2020-9-3 08:59
碳化硅崛起前夜（下）
四2022年，有望成为碳化硅器件作为电动汽车主驱逆变器规模应用的起点。SiC在汽车领域的应用，来源：国通证券引用罗姆线上会议这一年我们将迎来8英寸SiC的量产以及更多车规级晶圆厂的量产。这一年也是传统车企的高端 ...
分类:    2020-9-2 14:46
碳化硅崛起前夜（上）
2019年，保时捷Taycan横空出世，首次将电动汽车的电压等级提升至800V，同时计划在2021年将充电功率提升至350kW水平。2020年，美国汽车制造商Lucid更是宣称其首款车型Lucid Air的平台电压将达到900V，最高充电功率可 ...
分类:    2020-9-2 14:40
2020年Q2的GaN射频器件产品最新进展
截至到六月底，Mouser在售GaN射频器件和功率放大器由6大厂家出品，共计451款。2020年Q2各厂家在售GaN功率产品数量较Q1增加39款。其中，GaN射频器件新增15款产品，GaN功率放大器新增27款产品，共计下架了3款产品。图1 ...
分类:    2020-9-2 14:27
SiC成本问题的两服解药
碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，具有更高频、高效、耐高压、耐高温等特点。与Si器件相比，SiC被认为是一种超越Si极限 ...
分类:    2020-9-2 14:23
「成员风采」半导体所优秀成果展：重大科研进展
为庆祝中国科学院半导体研究所建所60周年，全方位展示研究所的60年发展历程，特举办中国科学院半导体研究所优秀成果展。文章来源：中科院半导体所
分类:    2020-9-1 13:48
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