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碳化硅降本、增量，路在何方？: 提起碳化硅（SiC）市场的走势，不得不从3月的特斯拉投资者大会说起，当时马斯克说要在未来电动汽车中将碳化硅用量减少75%，此言一出，引得资本市场一片哗然；风声过后，我们还是要思考，碳化硅行业如何应对马斯克提 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-5 09:38

首批参会企业名单公布 | 2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会: 2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会将于6月15-16日在江苏·无锡举办，会议将分为两个应用专场展开，重点聚焦碳化硅产品在光储系统及车用主驱产品中当前的应用进展及技术要求、碳化硅模组工艺和测试技术交流。诚挚 ...; 分类: 公告通知 2023-6-5 09:37

Transphorm 推出首款 1200V 蓝宝石基氮化镓: 1200V GaN 器件的效率高达 98.7%Transphorm宣布推出其1200 V蓝宝石基GaN功率FET仿真模型和初步数据表。TP120H070WS FET 被认为是迄今为止推出的唯一 1200 V蓝宝石基GaN功率半导体，使其模型成为同类产品中的首款。Tr ...; 分类: 联盟动态 2023-6-5 09:32

GE科学家团队展示可承受超过 800°C的 SiC MOSFET: 6月1日，据GE官网消息，来自GE Research的一个科学家团队创造了一项新记录，他们展示了可以承受超过 800 摄氏度温度的 SiC MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这比以前已知的这种技术的演示至少高出200摄氏度 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-5 09:22

半导体图案化工艺流程之：刻蚀简析: 图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻（Photo）工艺的下一步，用于去除光刻胶（Photo Resist，PR）未覆盖的底部区域，仅留下所需的图案。这一工艺流 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-2 10:35

前沿技术 | 可转移的单晶AlN纳米膜、共掺杂AlN薄膜: 1可转移单晶AlN纳米膜的合成与性能研究单晶无机半导体纳米膜（NMs）在过去十年中引起了极大的关注，这为复杂的器件集成带来了巨大的优势。研究人员已经用各种半导体纳米膜证明了在异质电子和柔性电子中的应用。单晶 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-2 10:21

SiC与GaN，谁拥有更广阔的星辰大海？: 当下，低碳化和数字化齐头并进的发展，带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中，第三代半导体则发挥着重要作用。同属第三代半导体，碳化硅和氮化镓近年来不断发光发热，成为半导体 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-2 10:18

19亿美元订单+2.5亿美元投资！纬湃科技长期锁定安森美碳化硅产能: 5月31日，纬湃科技官网宣布，公司与安森美达成了一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产品的10年长期供应协议，以满足纬湃科技在电气化技术方面的强势增长。此外，纬湃科技还将向安森美提供2.5亿美元（2 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-2 10:14

英飞凌碳化硅：目标、中国衬底和十八般兵器（二）: 英飞凌碳化硅战略的进一步讨论在英飞凌2023财年第2季度财报电话会议上， CEO Jochen Hanebeck称来自中国的碳化硅衬底的使用将主要遵循China for China（来自中国，供给中国）的策略。结合之后GIP事业群总裁Peter Waw ...; 分类: 联盟动态 2023-6-1 10:50

SiC新技术：成本降70%，工时降低90%: 衬底是碳化硅半导体产业的瓶颈环节，除了长晶慢（7天）、晶体厚度低（30mm左右）、直径小（≤8吋）、成本高等问题外，碳化硅晶体加工也存在2大挑战：材料损耗、耗时。碳化硅晶体加工包括：晶锭滚圆、切割、研磨、抛 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-1 09:33

SiC上车！阿尔斯通新一代碳化硅永磁电机牵引系统实现载客运营！: SiC属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。轨道交通牵引系统功率容量超过兆瓦级，需要功率半导体器件具备更大容量的电 ...; 分类: 联盟动态 2023-6-1 09:29

三菱将SiC产能提高五倍，大举发力功率器件: 三菱电机总裁兼首席执行官 Hiroshi Uruma 表示：“从 2023 年 4 月起，半导体和设备业务总部将由总裁直接控制。公司将通过稳定的供应来支持每个 BA（业务领域）的增长。与此同时，公司对功率器件的战略投资将推动半 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-31 11:07

蓉矽黑科技正式亮相：切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性: 5月26日，蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行。蓉矽半导体董事长戴茂州，副总裁、研发中心总经理高巍博士，副总裁、运营中心总经理廖运健，联讯仪器董事长胡海洋，销售总监张纪出席仪式。何为“WLTBI”系统 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-31 10:47

英飞凌碳化硅：目标、中国衬底和十八般兵器（一）: 前言结合英飞凌GIP（绿色工业能源）事业群总经理Peter Wawer博士和碳化硅负责人Peter Friedrichs博士在本月PCIM上的发言，笔者梳理这家公司在碳化硅产品、技术和供应链上的布局。目标与前景根据近期的一份研报，2022 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-30 10:26

碳化硅晶片的超精密抛光工艺: 摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-30 10:18

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