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芯塔电子:成为碳化硅功率器件和解决方案全球领航者的初心不变
芯塔电子:成为碳化硅功率器件和解决方案全球领航者的初心不变
近年来,化合物半导体市场十分火热,备受关注。回首过去一年,我们共同见证了化合物半导体产业的波澜迭起、挑战丛生,但亦看到了我国化合物半导体的坚韧不拔、欣欣向荣。2023年,化合物半导体行业的发展前景如何?我 ...
分类:    2023-2-17 10:13
氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”) 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ,才能实现实现高电压、高频率、 ...
分类:    2023-2-17 10:10
2023年功率半导体市场的状况
2023年功率半导体市场的状况
在最近的几次采访中,英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 讨论了功率半导体市场的状况。Hanebeck 指出,虽然短期内整体半导体芯片短缺可能会有所改善,但功率半导体是市场中一个相当独特的部分。汽车电气化和清洁能源 ...
分类:    2023-2-17 10:06
八张图看懂IGBT,附国内IGBT企业
八张图看懂IGBT,附国内IGBT企业
八张图看懂IGBT,附国内IGBT企业2023-02-17 09:00·宽禁带联盟功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,作为电子电力装置和系统中的“CPU” ...
分类:    2023-2-17 10:03
新型GaN HEMT结构,助力高压电力电子设备小型化
新型GaN HEMT结构,助力高压电力电子设备小型化
众所周知,GaN可用于制造适用于中低压高速运行的横向HEMT,适用于高压大电流的垂直FET,以及LED和激光器件等光学器件。丰田合成与从事功率器件研究和开发的Powdek(枥木县大山市)合作,开发了一种基于氮化镓 (GaN) ...
分类:    2023-2-16 09:46
近日简讯 | 无锡多个碳化硅项目开工;民德电子今年计划量产SiC器件等产品...
近日简讯 | 无锡多个碳化硅项目开工;民德电子今年计划量产SiC器件等产品...
▍总投资20亿元,昕感科技无锡江阴项目开工近日,无锡市举行2023年一季度重大产业项目开工仪式。此次无锡市集中开工重大产业项目176个,总投资1444.2亿元。江阴集中开工重大产业项目28个,总投资210.5亿元,当年计划 ...
分类:    2023-2-16 09:44
纳设:获近100台订单,8&6兼容外延设备将推出
纳设:获近100台订单,8&6兼容外延设备将推出
走过了2022的时代轰鸣,2023已经澎湃而来,第三代半导体产业即将开始落笔书写新的历史。在新能源汽车、光伏等新能源产业蓬勃发展的有利条件下,全球对第三代半导体的刚性需求持续增长,产业“黄金十年”的画卷正在徐 ...
分类:    2023-2-16 09:41
800V高压平台,激活SiC一池春水
800V高压平台,激活SiC一池春水
01 需求端:碳化硅价格甜蜜点将至,800V 平台为主要驱动因素EV/HEV是未来SiC功率器件的主要驱动力。其中碳化硅器件下游应用主要包含主逆变器、DC-DC、OBC、DC-DC。对于电动汽车,不同应用部件对于车规级功率器件的功 ...
分类:    2023-2-15 09:55
碳化硅器件“上车”:应用热点是电驱,标准尚待统一
碳化硅器件“上车”:应用热点是电驱,标准尚待统一
2023-02-15 08:49·宽禁带联盟如何加快碳化硅功率器件“上车”是2月8-10日在苏州举行的国际第三代半导体论坛上热议的话题。继新能源汽车充电器之后,碳化硅器件“上车”应用的下一个风口是电驱,这方面的国产化正在 ...
分类:    2023-2-15 09:38
长飞先进首席科学家刘红超:深刻理解产业发展规律,促进我国化合物半导体产业快速崛起
长飞先进首席科学家刘红超:深刻理解产业发展规律,促进我国化合物半导体产业快速崛起
近年来,化合物半导体市场十分火热,备受关注。回首过去一年,我们共同见证了化合物半导体产业的波澜迭起、挑战丛生,但亦看到了我国化合物半导体的坚韧不拔、欣欣向荣。2023年,化合物半导体行业的发展前景如何?我 ...
分类:    2023-2-15 09:31
看点 | 从英飞凌持续扩大碳化硅材料采购,看碳化硅供应链胶着
看点 | 从英飞凌持续扩大碳化硅材料采购,看碳化硅供应链胶着
英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg对能源转换及电动车系统方案而言,碳化硅基半导体是最高效、最具颠覆性的基础性材料。在过去数年内,碳化硅基能源半导体方案呈现强势增长。在缩减被动部件的尺寸后,相较 ...
分类:    2023-2-14 09:33
氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上?一个字:难!
氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上?一个字:难!
第3代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势,从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看,第3代半导体均比硅材料优秀,因此,第3代半导体的引入可以很好地解决现如今硅材料的不足,改善器件的散 ...
分类:    2023-2-14 09:32
第三代半导体了解一下!走进氮化镓
第三代半导体了解一下!走进氮化镓
第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车 ...
分类:    2023-2-14 09:11
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求 ...
分类:    2023-2-13 09:26
中国电科:促进新要素加速聚集,推进高水平科技自立自强 | 新平台支撑新发展
中国电科:促进新要素加速聚集,推进高水平科技自立自强 | 新平台支撑新发展
编者按:中国电科以国家战略需求为导向,整合关键资源、汇聚优秀人才,集聚力量建设高层次创新平台,奋力推进原创性引领性科技攻关,坚决打赢关键核心技术攻坚战的实践做法,受到光明日报等中央主流媒体广泛关注报道 ...
分类:    2023-2-13 09:24

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