中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

基本半导体 | 车用模块已获10余家相关客户定点…: 导读本期我们邀请到基本半导体。一起来聊聊基本半导体2022的碳化硅“故事”，以及公司对2023年的规划与准备。Q：2022年属于基本半导体的高光时刻？A：2022年，是基本半导体在汽车和工业市场实现全面拓展的一年。以 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-28 09:22

硅的继任者，二维材料有了新进展: 根据摩尔定律，自 1960 年代以来，微芯片上的晶体管数量每年都翻一番。但预计这一轨迹很快就会趋于平稳，因为一旦用这种材料制成的设备尺寸下降到一定尺寸以下，硅——现代晶体管的支柱——就会失去其电气特性。这就 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-28 09:08

宽禁带联盟祝您新春快乐！: 宽禁带联盟祝您新春快乐！新春愉快，兔年大吉，万事如意，身体健康，平安喜乐！; 分类: 联盟动态 2023-1-20 13:25

氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争: 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来被国内外相关企业持续关注和布局，相信这股热潮将会一路延续到2023年。然而，在宽禁带半 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-20 09:35

集成电路材料前沿技术（铜化学机械抛光、氧化铝抛光液）: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所张思齐、商志鹏供稿1软垫对铜化学机械抛光的机械效应随着集成电路制程节点缩小，对化学机械抛光（CMP）工艺性能提出了更高的要求。对CMP耗材深入的机理研究可以改善衬底表面缺 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-20 09:35

首款使用有机TFT的单片micro-LED显示屏问世: 首款使用有机TFT的单片micro-LED显示屏问世2023-01-20 08:40·宽禁带联盟SmartKem 使用半导体油墨直接在 GaN LED 顶部加工晶体管总部位于英国曼彻斯特的SmartKem公司宣布推出世界上第一个使用有机薄膜晶体管（OTFT） ...; 分类: 联盟动态 2023-1-20 09:34

高功率半导体激光器过渡热沉封装技术研究: 摘要：近些年，在市场应用驱动下，半导体激光器的输出功率越来越高，器件产生的热量也在增加，同时封装结构要求也更加紧凑，这对半导体激光器的热管理提出了更高的要求。当今，激光器的外延生长技术和芯片加工工艺已 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-20 09:19

政策 | 六部门重磅发文，关于光伏、储能、半导体等产业方向！: 据悉，1月17日，工信部、教育部、科学技术部、中国人民银行、中国银行保险监督管理委员会、国家能源局六部门发布《推动能源电子产业发展的指导意见》。目标到2025年，能源电子产业能有效支撑新能源大规模应用，成为 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-19 09:41

SiC到底为什么那么“神”？: 相比硅基功率半导体，SiC（碳化硅）功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”，究竟是怎么造出来 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-19 09:39

功率转换 | 是时候消灭死区时间了: 在现代电力转换应用中，利用开关电源器件的空载时间一直是一个必要的缺点，设计者已经学会了如何生存，以确保可靠和无忧的运行▋有效与控制死区时间死区时间是指当接通时间重叠将导致交叉导通电流时，两个器件的关断 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-19 09:32

芯塔电子·年末专访 | 实现全供应链国产化、布局碳化硅功率模块产线: 导读本期我们邀请到芯塔电子，一起聊聊芯塔电子2022的碳化硅“故事”，以及公司对2023年规划与准备。Q：芯塔电子2022年有哪些新的收获？A:1. 2022年，芯塔电子推出六款650V-1700V具有自主知识产权SiC MOSFET。产品 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-18 09:28

第三代半导体电力电子高性能封装和互连技术详解: 来源：半导体之芯; 分类: 联盟动态 2023-1-18 09:16

是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案: 与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。; 分类: 联盟动态 2023-1-18 09:12

质子解决了长期存在于SiC中的问题: 在器件制造之前进行质子注入可以释放SiC的真正潜力4H-SiC的一个紧迫问题是其双极性退化，这是由4H-SiC晶体中的层错扩展引起的。简单地说，晶体结构中的小位错随着时间的推移成长为称为“单一肖克利堆积缺陷”的大缺 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-17 09:38

高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响: 本期主题：高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响报告作者：Donghyun Jin and Jesús A. del Alamo▲ 报告来源：Impact of high-power stress on dynamic ON-resistance of high-voltage GaN HEMTs▲ 报告作者 ...; 分类: 联盟动态 2023-1-17 09:35

1 ... 50 51 52 535455 56 57 58 ... 189 / 189 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部