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宽禁带半导体GaN单晶衬底等21个项目落户苏州
宽禁带半导体GaN单晶衬底等21个项目落户苏州
5月16日,苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式,本次集中签约项目共21个,涵盖了软件和信息技术、高端医疗器械、高端智能装备、集成电路等高新区重点产业领域。Source:苏州高新区发布重大科技项 ...
分类:    2022-5-18 11:19
总投资75亿元!芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶
总投资75亿元!芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶
5月17日,芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶。据了解,芯粤能碳化硅芯片项目总投资75亿元人民币,占地150亩。一期投资35亿元,建成年产24万片6英寸碳化硅晶圆的生产线;二期建设年产24万片8英寸碳化硅晶圆芯片的 ...
分类:    2022-5-18 11:18
用于射频的GaN-on-Silicon,达成里程碑
用于射频的GaN-on-Silicon,达成里程碑
随着 5G 和 6G 技术的发展,它们被证明是对底层电路和硬件的重大挑战。为了跟上无线技术的快速发展,工程师们正在硬件层面评估许多新技术。其中一项技术是硅基氮化镓 (GaN-on-Si)。这项技术很有趣,因为它有可能将 G ...
分类:    2022-5-18 11:17
打破暴利!国产碳化硅外延炉已实现批量销售
打破暴利!国产碳化硅外延炉已实现批量销售
昂贵的进口外延炉目前碳化硅芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅抛光片本身只作为衬底。我国碳化 ...
分类:    2022-5-18 11:16
GaN半导体器件塑造电子的未来格局
GaN半导体器件塑造电子的未来格局
来源:半导体产业纵横 Pragati PathrotkarGaN半导体器件用于增长消费电子产品的市场潜力 。多年来,硅基半导体(如硅功率MOSFET)在功率转换应用中一直占据着至高无上的地位。许多硅功率器件制造商已经扩大了他们的 ...
分类:    2022-5-16 14:01
SiC-MOSFET器件门极驱动技术挑战与设计
SiC-MOSFET器件门极驱动技术挑战与设计
秦海鸿 副教授南京航空航天大学来源:NE电气
分类:    2022-5-16 13:59
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉
来源:粉体网
分类:    2022-5-16 13:58
中国科大零回滞氧化镓光电晶体管——从光电导效应到光栅效应
中国科大零回滞氧化镓光电晶体管——从光电导效应到光栅效应
摘要日盲紫外探测器在深空探索、火灾预警、光刻等关键领域应用广泛,探测需求多样化。中国科学技术大学龙世兵教授、胡芹研究员团队利用范德华堆叠构建了零回滞氧化镓日盲光电晶体管。该晶体管的光响应可在光电导(ph ...
分类:    2022-5-13 18:17
转向8英寸,宽禁带半导体成本要降?
转向8英寸,宽禁带半导体成本要降?
近日,多家半导体头部企业加速布局8英寸宽禁带半导体制造。5月9日,有消息称,联电加速布局8英寸晶圆宽禁带半导体制造,近期正大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区。5月9日,半导体材料企业Soitec半导体公司发布 ...
分类:    2022-5-13 18:16
产能提升300%,GaN又有新技术
产能提升300%,GaN又有新技术
5月5日,《自然》期刊发表一项氮化镓单晶的激光减薄新技术,其作者包括诺贝尔得主天野浩。据介绍,该技术可以将氮化镓衬底产能提升3倍,同时可以省去衬底抛光工艺,因此有助于帮助降低氮化镓单晶器件制造成本,该技 ...
分类:    2022-5-12 17:21
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
摘要大直径高质量 SiC 衬底对提高 SiC 和 GaN 器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究 ...
分类:    2022-5-12 17:20
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世 ...
分类:    2022-5-12 17:17
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
1此轮功率半导体缺货潮持续,可能延续至2023年功率半导体缺货仍在持续,近日有业内人士表示,目前IGBT又出现交货紧张情况,“从交货周期看,已全线拉长到50周以上,个别料号周期更长。”同时,富昌电子等分销商官网 ...
分类:    2022-5-12 17:16
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
氮化铝(AlN)是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外LED最佳衬 ...
分类:    2022-5-11 11:58
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
5月7日,在山西省科技工作会议上,确定2022年为“创新生态建设提质年”,将重点实施八大提质行动。其中包括,聚焦高水平科技供给,实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取“煤炭清洁高效利用”等科技创新—2030重大 ...
分类:    2022-5-11 11:57

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