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【申报通知】2021年度北京市科学技术奖提名工作开始啦，详情请看→: 关于启动2021年度北京市科学技术奖提名工作的通知各有关单位、专家：根据《关于深化科技奖励制度改革的实施方案》的精神，按照《北京市科学技术奖励办法》及《北京市科学技术奖励办法实施细则》的规定和要求，2021年 ...; 分类: 公告通知 2022-4-13 13:34

8英寸转6英寸或成新趋势，设备国产化有望借此东风: 上世纪80年代，6英寸晶圆的横空出世，代表了半导体产业正式迈向成熟商业化，而后在长达近10年的时间里，6英寸作为晶圆制造最高规格，被争相追逐。芯观点──聚焦国内外产业大事件，汇聚中外名人专家观点，剖析行业发 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-13 13:33

SiC 市场高速增长: 据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。报告指出，继特斯拉采用 SiC 后，2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用Si ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 11:00

1200V！又有车规级沟槽型SiC MOSFET: 近日，韩国一家半导体企业宣布，他们也开发了1200V沟槽型SiC MOSFET器件，实现了车规级产品的本土化制造。除了罗姆和英飞凌，国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET？今天，“三代半风向”给大家盘点一下 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 11:00

OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析: 在OBC拓扑中，传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化，而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小，效率得以优化，体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析，讨论一下封装对OBC电路的性 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 10:59

国产碳化硅产品将在储能变流器产业应用市场实现“快跑”: 储能变流器市场爆发在全球“碳达峰、碳中和”的目标下，风电、光伏发电将快速发展，储能是解决风电、光伏发电不稳定性、间歇性，增强能源系统供应安全性、灵活性的重要手段。随着“十四五”风光装机容量的扩大，各地 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:30

P-N结增强GaN HEMT: 向 GaN HEMT 添加 p-n 结可以提高其击穿电压商用 GaN HEMT 最显著的弱点之一是其栅极电压往往被限制在不超过 7 V的范围内，以确保安全运行。这种限制减少了栅极驱动器的选择，并排除了使用栅极偏压超过 10 V 的硅基 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:30

SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源: SiC 赋能更为智能的半导体制造/工艺电源半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比，使用碳化硅（SiC）的电源具有更为 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:29

SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究: 摘要：碳化硅（SiC）具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC 材料制成的功率 MOSFET 非常适合应用于大功率领域，而高温栅氧可靠性是大功率 MOSFET 最需要关注的特性之一。本文通过正压高 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:28

盘点中国碳化硅功率器件专利情况: 据预测，未来十年内，电动车市场将保持两位数增长。随着电动车市场渐入佳境，碳化硅(SiC)功率器件前景广阔。事实上，大多数电动车制造商正在整合或评估碳化硅功率器件在不同电动车系统中的使用，包括牵引逆变器、DC- ...; 分类: 联盟动态 2022-4-8 16:46

纵观化合物半导体1Q22融资事件：汽车、第三代半导体受青睐: 产业的发展需要优秀企业的引领，而优秀企业的发展离不开资本的鼓励和支持。2022年一季度已经过去了，在这短短的三个月里，行业内已发生了数十起融资案例，众多优质项目、优质企业在资本的加持下，有望在未来较长的一 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-8 16:45

超宽禁带半导体：金刚石要揽“瓷器活”: 以SiC/GaN为代表的宽禁带半导体已逐渐在5G通信、汽车电子、快速充电等方面得到大量应用。与此同时，研究人员和相关企业仍在研究开发其他的宽带隙材料。金刚石、氮化铝和氧化镓等具有更宽的禁带宽度，被称为超宽禁带 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-8 16:44

Si mosfet和SiC mosfet的导通电阻特性浅析: Si mosfet是一直以来应用广泛的半导体功率器件，SiC mosfet是近些年应用逐渐广泛的半导体功率器件，二者在多方面特性上具有不同的特点，本文重点讨论一下Si mosfet和SiC mosfet在导通电阻上的差异特性。一.Si mosfet ...; 分类: 联盟动态 2022-4-7 09:35

碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？: 报告主题：碳化硅外延，“初学者”该了解哪些？报告作者：Michael MacMillan（Epiluvac USA）报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）为什么碳化硅在电力电子领域备受关注？SiC供应链概览SiC外延--生长的基 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-7 09:34

SiC外延工艺的掺杂以及监测: 控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。由Larkin等人发现的“竞位外延”方法，可以有效地大范围改变N型和P型的掺杂浓度，被广泛 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-7 09:32

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