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联盟动态

中国SiC，“挖坑”了吗？: SiC这几年的发展速度几乎超出了所有人的意料。最近几年，在各家SiC厂商的努力下，SiC MOSFET器件已经有了大幅的改进，制造方法和缺陷筛查也有了一定的进步。SiC的商用化和上车之路已经明显加速。在SiC MOSFET的技术 ...; 2023-4-25 09:58

SiC粉料预处理对4H-SiC单晶生长的多型控制: 摘要:采用预处理工艺对源粉进行改性，成功生长出4H-SiC单晶，提高了SiC晶体的多型稳定性。为了提高SiC源粉中的C/Si比，将SiC源粉与液态碳源混合，然后在1200℃下预热，改性源粉生长的SiC单晶呈现完整的4H多型。用改 ...; 2023-4-25 09:47

碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究: 0 摘要空调压缩机是热泵空调系统的核心,选择合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率,从而提髙整个系统的效率｡这里使用了双脉冲测试电路,对1200V的碳化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLEC ...; 2023-4-24 10:24

采用MPS设计，Nexperia发布650 V碳化硅二极管: Nexperia开发了一种碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术，用于具有更高性能和更薄芯片的功率应用。Merged-Pin Schottky (MPS) 设计结合了一个肖特基二极管和一个并联的 P-N 二极管，更容易满足最新的能效标准。第一个使用 ...; 2023-4-24 10:14

【联盟动态】科技小饭局——化合物半导体器件的设计、制备与数据库开发技术交流活动成 ...: 近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导体迅猛发展，已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。随着半导体器件的尺寸不断 ...; 2023-4-24 10:12

特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进: 被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅未来使用的信心与前景。华为的碳化硅产业链布局近 ...; 2023-4-23 09:45

PVT法生长4H-SiC初始阶段晶格失配形成的贯穿位错的研究: 介绍碳化硅(SiC)是最具吸引力和发展前景的宽带隙半导体材料之一，具有优异的物理性能和巨大的电子应用潜力。目前150mm直径的SiC晶圆已经商业化，由于市场的扩大，投入了大量的精力和资源，晶圆的位错密度已经降低到5 ...; 2023-4-21 09:51

激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用: 摘要本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。碳化硅是一种性能优异的第三代 ...; 2023-4-21 09:36

宽禁带联盟2023年度第一次团标评审会顺利召开: 2023年4月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第一次团体标准评审会于线上会议顺利召开，此次会议旨在对《大尺寸碳化硅单晶抛光片》1项复审送审稿和《碳化硅晶片边缘轮廓检 ...; 2023-4-21 09:24

GaN，依然大有可为: 随着对带宽的需求持续增长和现有无线电频谱变得拥挤，电信行业正在寻找新技术来满足未来移动通信的需求。对更多带宽的追求与使用更高的无线电频率有着千丝万缕的联系，而更高的工作频率意味着更多的可用带宽。研究人 ...; 2023-4-20 09:26

中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破: 近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅 ...; 2023-4-20 09:24

综述| 功率器件封装结构热设计综述: 来源 |中国电机工程学报，中国知网作者 |王磊1，魏晓光1*，唐新灵1，林仲康1，赵志斌2，李学宝2单位 |1. 北京智慧能源研究院；2. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室原位 |DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.2 ...; 2023-4-19 09:49

斯达半导：自主车规级SiC MOSFET芯片预计今年在主驱市场批量供货: 4月17日，斯达半导举行了2022年度业绩说明会。会上，公司董秘张哲提到：“公司使用非自主芯片的车规级SiC MOSFET 2022年开始在高端新能源乘用汽车客户大批量装车应用。此外，公司的SiC芯片研发及产业化项目正在有序 ...; 2023-4-19 09:43

芯片工业：弯道超车之“四杀器”: 据世界知识产权组织（WIPO）统计，中国的专利、商标等知识产权申请量连续多年居世界首位，发明专利、PCT专利申请数量优势显著，但专利布局质量普遍不高。基于此，笔者从半导体专利的全球比较入手，对集成电路产业的 ...; 2023-4-19 09:37

半导体瞬态热测试技术的前世今生及未来: 应用半导体的 IV 曲线去测量半导体结温，是一项芯片结温测量技术，从半导体物理学的角度，我们知道在 PN 结上施加恒流源后，结电压随着温度的变化大约是 -1 mV/°C～-2 mV/°C。描绘二极管电压随着温度的变化特征可 ...; 2023-4-19 09:30

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