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罗姆的SiC“野心”:产能提升6倍,全球市占达3成
罗姆的SiC“野心”:产能提升6倍,全球市占达3成
根据《科创板日报》27日消息,碳化硅龙头罗姆(ROHM)社长松本功日前受访时表示,公司最早将于2022年内,在福冈县启用新厂房大楼进行生产。据悉,新厂房落成之后,罗姆的碳化硅功率半导体生产能力将提升至过去的6倍 ...
2022-9-28 18:40
宽禁带半导体材料「双子星」——氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)
宽禁带半导体材料「双子星」——氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)
对于 GaN,中文名氮化镓,我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始,一夜之间,GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的,就是我们憧憬已久的幻想开始实现 ...
2022-9-28 18:39
从太阳能到汽车:SiC 推动实现可再生的未来
从太阳能到汽车:SiC 推动实现可再生的未来
随着世界朝着更加绿色的可持续未来迈进,许多国家/地区正在减少化石燃料能源发电,转而使用可再生能源。2010 年至 2020 年,新型公用事业规模太阳能光伏 (PV) 项目的全球加权发电成本下降了 85%,陆上风电和海上风电 ...
2022-9-27 16:08
全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室开放
全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室开放
泰克科技在北京成立【泰克先进半导体开放实验室】(TEK Advance Semiconductor Open Lab),并邀请嘉宾一起见证启动开幕,这是全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室。开放实验室以泰克测试设备为核心,结 ...
2022-9-27 16:06
基本半导体完成数亿元C4轮融资
基本半导体完成数亿元C4轮融资
9月23日消息,深圳「基本半导体」宣布完成数亿元C4轮融资,由德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资,现有股东屹唐长厚、中 美绿色基金等机构继续追加投资。  本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节 ...
2022-9-27 16:06
苏州又增SiC产线!多家企业联手
苏州又增SiC产线!多家企业联手
前段时间,理想汽车碳化硅项目落户苏州高新区。最近,当地又有碳化硅项目签约落户。据苏州日报报道,9月19日,苏州赛晶CIDM特色工艺制造项目签约落户苏州高新区,据分析,该项目除了生产硅基MEMS器件,还将生产SiC器 ...
2022-9-27 16:05
中车时代半导体拟111.19亿元投资中低压功率器件产业化建设项目
中车时代半导体拟111.19亿元投资中低压功率器件产业化建设项目
智通财经讯,时代电气近日发布公告,基于公司及中车时代半导体的发展战略需求,利用我国能源转型升级的契机,打造产业链的优势,该公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(“中车时代半导体”)拟投资中低压功率器 ...
2022-9-27 16:04
宽带隙 (WBG) 功率器件的变革
宽带隙 (WBG) 功率器件的变革
*Vol.114报告主题:宽带隙 (WBG) 功率器件的变革报告作者:Anant Agarwal报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)为什么选择宽带隙半导体用于功率开关过去 25 年的发展简史展望未来 --50% 的可再生能源并网. ...
2022-9-23 14:47
第三代半导体关键材料研发商汉骅半导体完成数亿元B轮融资
第三代半导体关键材料研发商汉骅半导体完成数亿元B轮融资
半导体产业网获悉:近日,苏州汉骅半导体有限公司完成数亿元B轮融资,由苏州冠亚领投,弘晖资本、望睿投资、高新金控等共同投资。  据了解,汉骅半导体由江苏产研院/国创中心、苏州工业园区作为基石投资人,与海外 ...
2022-9-23 14:46
小鹏发布国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电动车G9
小鹏发布国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电动车G9
小鹏汽车9月21日晚召开发布会上市小鹏G9新能源电动车,定位“超快充全智能SUV”,新车售价30.99万元-46.99万元,有望于2022年10月底开始正式交付。值得注意的是,小鹏G9是国内首款搭载800V碳化硅高压电驱平台量产电 ...
2022-9-23 14:46
安森美SiC扩产:产能提高16倍
安森美SiC扩产:产能提高16倍
今天,安森美庆祝其在捷克共和国 Roznov 扩建的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。从 2019 年开始,onsemi 将 SiC 抛光晶圆和 SiC 外延 (EPI) 晶圆生产添加到其在 Roznov 现有的硅抛光和外延晶圆和die制造中,并在去年开始重 ...
2022-9-23 14:44
自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
摘要:本文做出了自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT,用AlN截止层和SF6基刻蚀气体做到了自终止刻蚀技术。对比Si基HEMT,GaN on GaN HEMT电流密度更高,低亚阈值摆幅更低,漏电流更低,静态和动态电阻更低, ...
2022-9-22 13:53
现在进行时,SiC正在迈入8英寸时代
现在进行时,SiC正在迈入8英寸时代
SiC功率器件因其优异的特性而广泛应用于新能源汽车、特高压输电及轨道交通等领域。SiC材料的临界击穿场强约比Si材料大10倍,这也就意味着,在给定的掺杂浓度下SiC器件的耐压水平比Si器件高两个数量级。同时,SiC器件 ...
2022-9-22 13:52
SiC成本逐步下降,行业有望迎来爆发拐点
SiC成本逐步下降,行业有望迎来爆发拐点
1.SiC产业链逐步成熟1.1.SiC具有优秀材料特性,适用于高压、高频场景SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料,并和氮化镓(GaN)都具有宽禁带的特性,被称为第三代半 ...
2022-9-22 13:51
第三代半导体碳化硅行业深度研究报告(下)
第三代半导体碳化硅行业深度研究报告(下)
新能源汽车市场日益火爆,需求释放推动碳化硅市场快速增长。2020 年,全球新能源汽车市场销量为 400 万辆,其中插电混合动力 PHEV 类占比 37.50%,纯电动BEV 类占比 67.50%,是当前市场的主要品类。我们预计,2021-2 ...
2022-9-22 13:50

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