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众所周知,SiC材料的特性和优势已被大规模地证实,它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一,因为在出现基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同时,没有出现基于SiC的类似器件。

SiC-MOSFET与IGBT有许多不同,但它们到底有什么区别呢?本文将针对与IGBT的区别进行介绍。



与IGBT的区别:Vd-Id特性


Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。



请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd(Vds)呈线性增加,但由于IGBT有上升电压,因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds更低(对于IGBT来说是集电极电流、集电极-发射极间电压)。不言而喻,Vd-Id特性也是导通电阻特性。根据欧姆定律,相对Id,Vd越低导通电阻越小,特性曲线的斜率越陡,导通电阻越低。


IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围),在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题,但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时,低功率范围的效率并不高。


相比之下,SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。


此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。


与IGBT的区别:关断损耗特性


前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高速开关。在此具体就与IGBT开关损耗特性的区别进行说明。


众所周知,当IGBT的开关OFF时,会流过元器件结构引起的尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。



比较开关OFF时的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在本例中,SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗Eoff相比,降低了88%。

还有重要的一点是IGBT的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下,SiC-MOSFET的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻Rg。


与IGBT的区别:导通损耗特性


接下来看开关导通时的损耗。



IGBT在开关导通时,流过Ic(蓝色曲线)用红色虚线圈起来部分的电流。这多半是二极管的恢复电流带来的,是开关导通时的一大损耗。请记住:在并联使用SiC-SBC时,加上恢复特性的快速性,MOSFET开关导通时的损耗减少;FRD成对时的开关导通损耗与IGBT的尾电流一样随温度升高而增加。

总之,关于开关损耗特性可以明确的是:SiC-MOSFET优于IGBT;SiC MOSFET也已经具有广泛工业应用所要求的质量水平。另外,这里提供的数据是在罗姆试验环境下的结果。驱动电路等条件不同,结果也可能不同,要记住具体问题具体分析哦!

来源:罗姆半导体集团


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