【开幕】首届亚太碳化硅及相关材料国际会议在北京隆重开幕

首届亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议（APCSCRM 2018）于7月10日在北京市中家鑫园温泉酒店隆重开幕。大会围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）理事长陈小龙教授和日本筑波大学岩室 宪幸教授共同担任本次大会主席。会议在北京市科学技术委员会和北京市顺义区人民政府指导下，由宽禁带联盟、中国科学院物理研究所和北京硅酸盐学会主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办，中关村顺义园管理委员会、中国物理学会、中国晶体学会、中国电子材料行业协会、北京电力电子学会、中科钢研节能科技有限公司和米格实验室协办。

大会开幕式现场

北京市新材料发展中心肖澜主任致辞

中关村顺义园管委会张建国常务副主任致辞

富集团有限责任公司董事长、北京天科合达半导体股份有限公司董事长刘伟致辞

日本筑波大学岩室 宪幸教授致辞

大会主席陈小龙教授主持开幕式 

开幕式由大会中方主席陈小龙教授主持，中国科学院副院长,中国科学院大学校长李树深院士、中国科学院半导体研究所夏建白院士、中国科学院物理研究所方忠所长莅临出席开幕式。北京市新材料发展中心肖澜主任、中关村顺义园管委会张建国常务副主任、新疆天富集团有限责任公司董事长、北京天科合达半导体股份有限公司刘伟董事长和大会外方主席日本筑波大学岩室 宪幸教授分别致辞，在第三代半导体技术及产业蓬勃发展的大好时代机遇背景下，共同祝愿本次大会取得圆满成功，促进中国、亚太乃至世界第三代半导体产业的快速健康发展。

本次大会采用多种交流形式，包括高峰闭门论坛、大会邀请报告、大会企业报告、分会邀请报告、分会口头报告、分会企业报告、优秀学术论文张贴和企业展览展示等多种形式。来自瑞士、美国、日本、瑞典、德国、俄罗斯、韩国、中国台湾十余个国家或地区代表参加了APCSCRM 2018会议，参会人数近400余人，其中产业界代表160余人，学术界150余人，政府、金融界等其他参会代表90余人。此外会议共收到投稿130余篇。会议邀请了包括中国科学院院士、IEEE会士、IEEE ISPSD技术计划委员会成员、IEEE资深会员、ISPSD副主席、ISPSD日本主席、美国能源部研究员、日本IEICE成员、韩国KETI 研究员、中国和日本著名高校及研究机构知名教授等近三十位世界顶级行业及学界专家学者奉上精彩报告及点评，为现场听众奉献了一场思想和学术的盛宴。