博格华纳全球第二大Viper生产基地启用｜​三代半·电报

▌博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房启用

日前，博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房正式启用。据悉，研发中心将专注于电力电子、逆变器和DC/DC转换器等产品的全方位设计，并结合本土Viper功率模块 (硅基IGBT模块和碳化硅基MOSFET模块）测试的开发，成为全球第二大Viper生产基地。据悉，二期厂房及研发中心总建筑面积2.2万平方米，包含一幢可容纳450名员工的四层研发中心大楼和一幢二层生产车间。生产工厂的设备自动化水平将进一步提升至90%以上，设备100%联网，投产后年产能将实现180万台功率电子控制单元的生产能力。

▌中科意创完成数千万元A+轮融资

日前，中科意创完成数千万元A+轮融资，由创新工场独家投资。中科意创目前累计融资金额过亿元，本轮融资资金将用于功率半导体先进封装产线建设。中科意创成立于2021年，由广东省大湾区集成电路与系统应用研究院发起设立，专注于为新能源汽车提供碳化硅功率模组以及电控系统解决方案。核心成员出身BOSCH、ST、GE、中车、华为等企业，拥有多年Tier1工作经验。未来，中科意创将进一步扩大产能，并协同主流车企研发下一代SiC封装技术。

中科意创作为行业内唯一与意法半导体达成官方合作的企业，综合利用自身驱动芯片设计、封装设计等资源，对标特斯拉TPAK方案并进一步优化，开发中科意创ST-PAK解决方案。值得一提的是，中科意创真正实现了ST-PAK封装的SiC模块与散热器的器件级大面积银烧结，且已搭建国内首条ST-PAK模块模组银烧结产线。在系统开发上，中科意创基于对驱动板、控制板、母线电容等内容的设计开发，已设计出一款高功率密度、高工作温度、高效率、高可靠性且可量产的SiC电机控制器。

▌Apex工业设备功率模块系列采用罗姆SiC MOSFET和SiC SBD

近日，ROHM官网宣布，公司的SiC MOSFET和SiC SBD已被美国主要飞机零部件集团HEICO Corporation的功率模块系列采用。该功率模块系列包括两款产品：SA310驱动器模块，非常适合驱动高压三相直流电机；SA110 和SA111 半桥模块，非常适合各种高压应用。

ROHM的1200V SiC MOSFET“S4101”和 650V SiC SBD“S6203”以裸芯片形式提供，有助于小型化应用并提高模块性能和可靠性。Apex的功率模块系列还采用ROH的栅极驱动IC“BM60212FV-C”作为裸芯片，有助于高压电机和电源的高效运行。此外，根据Apex委托进行的一项研究，与分立元件相比，使用裸芯片构建这些关键元件可减少67%的安装面积。

▌爱仕特与台湾汉磊在碳化硅方面达成重要合作

近日，爱仕特团队与台湾汉磊双方高层会面，在碳化硅方面达成重要合作：

1）基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；

2）1700V和3300V SiC MOS的量产准备；

3）共同合作开发SiC MOS trench工艺技术；

4）约定未来更多互利合作，开发SiC MOS 核心技术。

交流中，台湾汉磊集团董事长徐建华介绍了汉磊SiC MOS现有的代工产能和新技术研发状况，扩产的规划和详细进展，后续重点发展车规级芯片代工（长期为英飞凌车规级MOS提供代工服务）；爱仕特陈总展示了公司自主研发并生产的全SiC MOS模块，全部采用汉磊代工生产的1200V 17毫欧SiC MOS芯片，也是国内率先上车使用的自主研发的SiC MOS芯片。

▌“中核纪元之光碳化硅材料生产厂房及配套工程建设项目”新进展

近日，中国核工业集团电子采购平台对外公示了“中核纪元之光碳化硅材料生产厂房及配套工程建设项目”的中标候选人，投标报价约为1456万元或1633万元。据悉，该项目位于陕西省延安市安塞区工业园区内，主要生产的产品为碳化硅单晶材料，产能规划为15000 片/年，配套碳化硅单晶生长炉50 台套（先期20台套，后续30台套），将提供 N 型碳化硅材料。据“行家说三代半”发文透露，中电科2所未来将为该项目提供技术支持，并与中核汇能公司、陕西纪元之光新能源有限公司等共同推进SiC产业落地。

▌东莞天域半导体、光大半导体等第三代半导体项目动工

3月17日，广东省东莞市举行2023年首批重大项目动工仪式。据悉，本次动工的重大项目共有60个，总投资420亿元，其中包括比亚迪汽车零部件、天域半导体、光大半导体等项目。

其中，广东天域半导体股份有限公司总部、生产制造中心和研发中心建设项目总投资80亿元，由广东天域半导体股份有限公司投资，总用地面积约114.65亩，建筑面积约24万平方米，将建设年产能120万片的碳化硅外延晶片大型生产基地，预计2023年内完成第一期17万片年产能的建设；广东光大第三代半导体科研制造中心1区项目总投资44亿元，由东莞市中晶松湖半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司投资，建成后主要生产制造2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。

▌山西出台新政，支持碳化硅发展

近日，山西省工信厅印发《山西省电子信息制造业2023年行动计划》。其中半导体产业作为推进重点，支持6-8英寸碳化硅衬底材料、碳化硅衬底缺陷检测、高效深紫外LED芯片、 MiniLED 封装等关键技术突破，打造大尺寸碳化硅导电型衬底、深紫外LED芯片及消杀应用、MiniLED 显示屏、晶圆微缺陷检测设备等优势产品，推动碳化硅、硅单晶、新型LED显示等一批重大项目实施。鼓励有条件的地区立足发展优势打造半导体产业园区，培育形成特色优势半导体产业集群。

参考来源：芯TIP、苏州工业园区发布、36Kr、ROHM官网、爱仕特、行家说三代半、山西省工信厅等