超高速氮化镓控制芯片

通过将脉冲宽度减小到2ns，罗姆称其可以使用单个电源IC将高达60V的电压降到低至0.6V的低电压。

罗姆开发了超高速控制 IC 技术，以最大限度地提高 GaN 和其他高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其优异的高速开关特性，其应用范围不断扩大，但负责指导这些器件驱动的控制IC的速度却成为挑战。

作为回应，罗姆重新设计了其超高速脉冲控制技术Nano Pulse Control，将控制脉冲宽度从传统的9ns提高到2ns。

罗姆表示，通过将控制 IC 的最小控制脉冲宽度从传统的 9ns 减小到 2ns，在 24V和48V应用中，使用单个电源 IC 可以将高达60V的高压降到低至0.6V 的低电压。最重要的是，当与EcoGaN电源电路配合使用时，与传统解决方案相比，支持更小的动外围组件来实现GaN器件的高频开关，使安装面积减少了约86%。

罗姆目前正致力于利用该技术实现控制IC的商业化，并计划在2023年下半年开始出货100V单通道DC-DC控制IC的样品。与罗姆氮化镓器件（EcoGaN 系列）结合使用，有望让各种应用实现显著的节能和小型化，包括基站、数据中心、工厂自动化设备和无人机。

来源： 雅时化合物半导体