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导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET

自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC MOSFET量产后,蓉矽半导体再接再厉,1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产,首批次量产平均良率高达80%,满足车规主驱芯片的高可靠性要求,为高质量国产替代提供了坚实保障。

自成立之初,蓉矽半导体就一直坚守正向研发路径,每款产品都来自实际市场应用需求。在应用端客户关心的驱动电压上,同时推出了15V驱动与20V驱动两种SiC MOSFET产品,从产品设计端开始就着力解决客户所需。

在封装型号上,蓉矽半导体推出了TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式。全系列产品均采用环保物料,完成了RoHS、REACH认证,获取了SGS报告,全面满足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的应用需求。

作为一家专注碳化硅功率半导体器件设计的公司,蓉矽半导体经过三年的努力,完成了从材料、晶圆到封测的全工艺链整合。自今年起,蓉矽半导体全SiC系列产品实现了稳定的保质保供,为客户方案导入、批量生产提供了强有力的支持。


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