CN200910238111-一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法

admin

一种用于生长高质量导电型碳化
硅晶体的方法
申请号：200910238111.5
申请日：2009-11-18
申请(专利权)人中国科学院物理研究所北京天科合达蓝光半导体有限公司
地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人陈小龙鲍慧强 彭同华 王刚 刘春俊 王波 李龙远
主分类号C30B29/36(2006.01)I
分类号C30B29/36(2006.01)I C30B23/00(2006.01)I
公开(公告)号101724906A
公开(公告)日2010-06-09
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003
代理人尹振启

CN200910238111-一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法.pdf (2.49 MB, 下载次数: 22)

2016-7-13 17:47 上传

点击文件名下载附件
下载积分: 资料积分 5