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成员风采

【成员风采】泰科天润碳化硅器件助力消费类快充、PC电源性能提升
【成员风采】泰科天润碳化硅器件助力消费类快充、PC电源性能提升
近年来,随着功率增大、效率及体积要求提升,碳化硅二极管逐渐进入到快充和PC电源领域。碳化硅二极管应用在PFC电路中,其优异的反向恢复特性能够降低损耗,并且随着开关频率的进一步升高,能够显著减小无源器件的体 ...
2022-5-16 13:35
【成员风采】新疆天科合达:二期项目6月竣工达产
【成员风采】新疆天科合达:二期项目6月竣工达产
5月3日,在新疆天科合达蓝光半导体有限公司,记者了解到,该公司二期“年产电子专用材料单晶衬底1500锭、单晶原料50吨洁净厂房及配电站建设项目”预计今年6月竣工达产。该项目于2020年3月19日立项,总投资1亿元,建 ...
2022-5-7 15:59
【成员风采】河北工匠杨昆:第三代半导体材料关键技术突破者
【成员风采】河北工匠杨昆:第三代半导体材料关键技术突破者
第三代半导体材料关键技术突破者——记河北同光总工程师杨昆图为杨昆(左二)与研发团队成员一起查看碳化硅单晶生长情况。通讯员穆贝摄“目前,5G基站、新能源汽车充电桩、人工智能等新基建火热进行,而支撑新基建建 ...
2022-5-7 15:58
「成员风采」天达晶阳:拟扩建400台套完整的碳化硅晶体生产线
「成员风采」天达晶阳:拟扩建400台套完整的碳化硅晶体生产线
河北广播电视台推出大型全媒体系列报道《高质量发展重点项目行》,多路记者行走河北省各地,感受"工地"即"阵地",体验"现场"即"考场"。在河北邢台碳化硅现场,河北广播电视台记者张安怡说,如今,越 ...
2022-4-27 18:02
【成员风采】进展 | 8英寸碳化硅单晶研究取得进展
【成员风采】进展 | 8英寸碳化硅单晶研究取得进展
碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。相比同类硅基器件,SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转 ...
2022-4-27 17:53
【成员风采】天域计划建设国内首条8英寸SiC外延晶片生产线
【成员风采】天域计划建设国内首条8英寸SiC外延晶片生产线
近日,松山湖管委会官网公布了《东莞市生态园2022年度土地征收成片开发方案》征求意见稿。拟征收地块面积6.316公顷,合计94.7亩,后续将用于保障东莞市天域半导体科技有限公司半导体项目的落地。据披露,项目计划购 ...
2022-4-20 11:08
【成员风采】瀚天天成碳化硅产业园二期竣工
【成员风采】瀚天天成碳化硅产业园二期竣工
据厦门火炬高技术产业开发区消息,位于高新区同翔高新城(翔安片区)的瀚天天成碳化硅产业园二期顺利竣工,并于3月底进行联合验收,项目计划今年二季度投产。图片来源:瀚天天成该项目由国内首家、全球第四家可以生 ...
2022-4-15 11:03
【成员风采】瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管
【成员风采】瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管
肖特基二极管因为几乎没有反向恢复trr。因此,可以在很高开关频率下运行,而VF又非常小,受到电源工程师的广泛青睐。不过,因为反向漏电流IR大,如下图1 所示,所以不适合用作高耐压元件,通常最高耐压可达200V。图1 ...
2022-4-12 10:58
【成员动态】天科合达牵手金博股份,意在衬底降本?
【成员动态】天科合达牵手金博股份,意在衬底降本?
市场动态:2022 年 4 月 8 日上市公司金博股份公告与天科合达签订战略合作协议。双方共同就【高纯热场材料】【高纯保温材料】【高纯粉体材料】在第三代半导体领域的开发和应用,达成深度战略合作伙伴关系,合作期 5 ...
2022-4-12 10:57
【成员动态】瑶芯微电子创始人贾仁需|部署车规级,SiC MOS即将发力
【成员动态】瑶芯微电子创始人贾仁需|部署车规级,SiC MOS即将发力
贾 仁 需瑶芯微电子科技(上海)有限公司联合创始人专访嘉宾介绍西安电子科技大学教授、博导,陕西省杰青,专注SiC 材料和器件研究工作17年,主持研究01核高基重大专项,02重大专项,科技部重点研发计划等国家级项目 ...
2022-3-18 11:01
【成员风采】北京航天赛德荣获北京市专精特新“小巨人”企业称号
【成员风采】北京航天赛德荣获北京市专精特新“小巨人”企业称号
近日,北京市经济和信息化局公布了2021年度第二批北京市专精特新“小巨人”企业名单和北京市2022年度第二批拟认定“专精特新”中小企业名单,北京航天赛德科技发展有限公司均榜上有名!专精特新是由国家工信部组织开 ...
2022-3-17 14:23
【成员风采】微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展
【成员风采】微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展
近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作,在氮化镓(GaN)—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项研究创新地使用了表面活化键合法(SAB),以纳米非晶硅为介质在室温下达 ...
2022-3-16 10:09
【成员风采】镓特半导体荣获安徽省首批次新材料称号
【成员风采】镓特半导体荣获安徽省首批次新材料称号
2022年3月11日,安徽省经信厅公布2022年安徽省首批次新材料名单,镓特半导体科技(铜陵)有限公司生产的“氮化镓单晶衬底(晶圆片)”产品凭借前瞻性、创新性、突破性优势成功入选,同时镓特半导体公司也成为本年度 ...
2022-3-16 10:01
【成员风采】郑州三磨所:解决我国半导体芯片精密加工“卡脖子”难题
【成员风采】郑州三磨所:解决我国半导体芯片精密加工“卡脖子”难题
据人民网报道,近5年,郑州磨料磨具磨削研究所有限公司(以下简称“三磨所”)研发投入达1.4亿元,科技投入达3.92亿元,分别占营业收入的7.3%、20.4%。集微网消息,据人民网报道,近5年,郑州磨料磨具磨削研究所有限 ...
2022-2-24 09:51
【成员风采】高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
【成员风采】高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
高温溶液法生长SiC单晶的研究进展物理气相传输法(physical vapor transport,PVT)是目前制备SiC单晶衬底的主流技术,但存在晶体缺陷密度较高、成品率低、扩径困难、成本高等局限。以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为 ...
2022-2-17 10:12

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