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下级分类:  公告通知|联盟动态
聚焦SiC超充赛道,华为、中建、安世博等加速布局
聚焦SiC超充赛道,华为、中建、安世博等加速布局
前不久,“行家说三代半”报道了今年一季度碳化硅在超充领域的应用情况。近期,我们发现又有多家企业集中发布应用碳化硅技术的新产品,与此同时,不少超充站建设也开始采用碳化硅,这意味着:采用碳化硅的企业持续增 ...
分类:    2025-5-15 09:28
涉及功率器件领域,英飞凌与美的集团深化合作!
涉及功率器件领域,英飞凌与美的集团深化合作!
5月14日消息,英飞凌科技与美的集团近日签署战略合作协议。双方将深度整合各自优势资源,在智能家电、新能源以及全球供应等多维度加深合作。source:英飞凌长期以来,英飞凌与美的集团紧密合作,技术协同的深度与广 ...
分类:    2025-5-15 09:25
《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发 ...
《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发 ...
5月13日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑 ...
分类:    2025-5-15 09:23
全球首个氮化镓量子光源芯片发布
全球首个氮化镓量子光源芯片发布
5月9日,电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强,正式发布了全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性成果标志着中国在量子科技领域迈出了重要一步,为量子互联网的发展提供了关键硬件支撑 ...
分类:    2025-5-14 09:32
比5G快10倍!第三代半导体材料在5G-A技术中的作用分析
比5G快10倍!第三代半导体材料在5G-A技术中的作用分析
近日,据人民日报消息比5G快10倍的5G-A信号,出现在很多人的手机上,那么5G-A是什么?目前,各大运营商都在积极部署 5G-A 网络,并取得了显著进展:中国移动表示,今年将投资近百亿元,进一步扩大5G-A中的无线网络AI ...
分类:    2025-5-14 09:30
中国工程院院士屠海令 以创新引领材料领域突破,筑牢制造强国基石
中国工程院院士屠海令 以创新引领材料领域突破,筑牢制造强国基石
近日,中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有研科技委主任屠海令受邀参加“对话新国企·科技创新主力军”系列融媒体访谈,讲述在这条布满挑战的攀登之路上,中国科技工作者正以“十年磨一剑”的定力 ...
分类:    2025-5-12 10:25
宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报(四月)
宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报(四月)
为助力宽禁带半导体产业生态圈建设,推动技术创新与资源高效对接,宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》,本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...
分类:    2025-5-12 09:36
三菱出货全SiC和混合SiC SLIMDIP样品
三菱出货全SiC和混合SiC SLIMDIP样品
SLIMDIP系列首批SiC模块可为节能家电提供高输出功率和低功率损耗三菱电机公司于2025年4月22日开始出货用于室内空调和其他家电的两款新型SLIMDIP系列功率半导体模块样品,这两款模块分别是全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6 ...
分类:    2025-5-9 09:37
长城电源为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
长城电源为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
在数据中心与服务器电源领域,一场技术革新正席卷全球。谷歌、华为、浪潮、台达等一众领军企业,纷纷将目光投向氮化镓(GaN)技术,积极将其引入高性能电源设备。基于氮化镓的新一代钛金级电源系统,正以势不可挡之 ...
分类:    2025-5-9 09:36
功率半导体领域新添两起合作!
功率半导体领域新添两起合作!
功率半导体技术正成为推动新能源汽车、工业自动化、可再生能源以及家电智能化等多领域发展的关键力量。2025年5月,赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录,英诺赛科与美的厨热达成 GaN 战略合作,共同推动功率 ...
分类:    2025-5-9 09:34
中国科学院宁波材料所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
中国科学院宁波材料所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
近日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展,相关工作以Al2O3/in-situGaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced inte ...
分类:    2025-5-8 13:12
英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展
英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料,凭借其耐高压、高频、高温等特性,正成为新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域的技术变革引擎。近期,基本半导体、英飞凌相继宣布获得碳化硅新突破:基本半导体推出新一代 ...
分类:    2025-5-8 13:11
【专家观点】我国碳化硅产业助力新型电力系统建设
【专家观点】我国碳化硅产业助力新型电力系统建设
碳化硅因其出色的高功率密度、耐高压高温、低能耗及抗辐射等性能,在新能源汽车、5G通信、高效电源、智能电网等领域展现出巨大的市场潜力。我国碳化硅产业起步于本世纪初,目前已在碳化硅材料及器件研制上取得一系列 ...
分类:    2025-5-8 13:08
武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士、吴改副研究员、沈威副研究员团队在学术期刊Journal of Materials Science Technology发布了一篇名为 Laser stealth dicing of β-Ga2O3: Theoretical and experimental studies(β-Ga2O3 激光隐 ...
分类:    2025-5-8 09:50
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料,因优异的物理特性(如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm)在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而,高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临 ...
分类:    2025-5-7 10:05

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