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下级分类:  公告通知|联盟动态
重大突破!全球首套±800kV特高压直流量子电流传感器
重大突破!全球首套±800kV特高压直流量子电流传感器
近日,由南方电网公司输配电部牵头,南网数研院、南网传感公司、中国科学院上海微系统所、超高压输电公司、贵州电网公司、西电高压开关、中国科学技术大学、浙江大学等单位联合研制的全球首套±800kV特高压直流量子 ...
分类:    2025-1-24 11:27
首款国产高压抗辐射SiC功率器件实现空间验证及其在电源系统中的在轨应用
功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽度大、击穿场强 ...
分类:    2025-1-24 11:26
宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
自2015年起,195个国家签署了《巴黎协定》,共同致力于减少温室气体排放,并设定了到2050年实现碳中和的目标。目前,能源使用约占全球温室气体排放总量的75%,主要涉及四大领域:发电、交通运输、工业制造,以及建筑 ...
分类:    2025-1-24 11:22
宽禁带科技论|KAUST:超宽禁带氧化镓晶相异质结
宽禁带科技论|KAUST:超宽禁带氧化镓晶相异质结
研究梗概在科技的快速发展中,超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓(Ga2O3)晶相异质结(Phase Hete ...
分类:    2025-1-24 11:20
详谈碳化硅蚀刻工艺——干法蚀刻
详谈碳化硅蚀刻工艺——干法蚀刻
碳化硅(SiC)作为一种高性能材料,在大功率器件、高温器件和发光二极管等领域有着广泛的应用。其中,基于等离子体的干法蚀刻在SiC的图案化及电子器件制造中起到了关键作用,现分述如下:干法蚀刻概述碳化硅反应离子 ...
分类:    2025-1-22 11:36
7家SiC企业公布业绩:供应40万辆车;单季5000万……
7家SiC企业公布业绩:供应40万辆车;单季5000万……
近日,国内芯聚能半导体、悉智科技、智新半导体等7家SiC企业透露了其最新的订单进展,详情请看:芯聚能半导体:SiC模块上车量超40万辆1月16日,芯聚能半导体在官微透露,作为中国首家搭载乘用车主驱的第三方碳化硅模 ...
分类:    2025-1-22 11:33
瞻芯电子完成近10亿元融资
瞻芯电子完成近10亿元融资
1月21日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(下文简称“瞻芯电子”)宣布,公司已完成C轮融资首批近10亿元资金交割。此次C轮融资,由国开制造业转型升级基金领投,中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。瞻芯电子本轮首 ...
分类:    2025-1-22 11:21
碳化硅热潮:印度能否抓住147亿美元的芯片机会?
碳化硅热潮:印度能否抓住147亿美元的芯片机会?
印度的半导体使命正处于关键时刻,该使命旨在将印度转变为全球芯片制造中心。虽然硅长期以来是半导体行业的基石,但碳化硅(SiC)作为新一代材料的崛起,为印度提供了开拓高附加值产业的良机。碳化硅(SiC)以其在高 ...
分类:    2025-1-21 08:54
日本电装:开发出GaN 三电平汽车电驱方案
日本电装:开发出GaN 三电平汽车电驱方案
1月15日,据日媒报道,名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT,合作开发出了一种 800V 兼容逆变器(三相、三电平),主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机(图 1)。据了解,名古屋大学与松下控股、丰田合成、大 ...
分类:    2025-1-21 08:53
Coherent追加5.8亿元扩产,新增75万片产能!
Coherent追加5.8亿元扩产,新增75万片产能!
1月17日,据外媒报道,美国商务部宣布根据《芯片和科学法案》新签署四份补助合同,其中包括向Coherent(原贰陆)提供7900万美元(约5.79亿人民币)的直接拨款资助——据介绍,美国商务部拟议的资金补助将支持Coheren ...
分类:    2025-1-21 08:50
宣布!英飞凌合并传感器和射频业务
宣布!英飞凌合并传感器和射频业务
当地时间1月16日,电源、汽车和物联网半导体领域的领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门,将现有的传感器和射频(RF)业务合并为一个专门的组织,以推动公司在传感器领域的发展。新的业务部门SURF(传 ...
分类:    2025-1-20 09:13
CVD薄膜质量影响因素及故障排除
CVD薄膜质量影响因素及故障排除
CVD薄膜质量影响因素以下将以PECVD技术沉积薄膜作为案例,阐述影响薄膜品质的几个核心要素。PECVD工艺质量主要受气压、射频能量、衬底温度、射频源的工作频率、电极板间距以及反应腔体大小等因素的影响。在等离子体 ...
分类:    2025-1-20 09:10
氧化镓科技企业杭州镓仁半导体有限公司董事长/浙江大学教授 张辉:未来可能在功率器件 ...
氧化镓科技企业杭州镓仁半导体有限公司董事长/浙江大学教授 张辉:未来可能在功率器件 ...
近年来,在国际压力及政府资金和其他激励措施的支持和推动下,国内涌现出一大批优秀且专业的化合物半导体团队和创业公司。由于强大的电信和汽车行业的存在,供应链机遇推动化合物半导体市场愈加火热,不断实现高速增 ...
分类:    2025-1-20 09:09
宽禁带科技论|北京大学:高效热管理氮化镓器件的设计新思路
宽禁带科技论|北京大学:高效热管理氮化镓器件的设计新思路
研究背景随着电子器件向高功率和高密度的发展,III-氮化物半导体材料由于其优异的电子和热性能,逐渐引起了科学家的广泛关注。特别是氮化镓(GaN)因其宽禁带、高击穿场强和高电子迁移率等特性,在功率电子和光电子 ...
分类:    2025-1-20 09:07
芯联集成:SiC营收突破10亿元
芯联集成:SiC营收突破10亿元
1月15日,芯联集成发布2024年全年业绩预告,其中提到:“2024年,公司碳化硅业务实现收入超10亿元。”芯联集成曾在2024Q3财报中披露,他们的“SiC功率模块量产和定点项目持续增加,已获得比亚迪、小鹏、蔚来、理想、 ...
分类:    2025-1-17 09:14

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