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联盟动态

全面解读第三代半导体IDM与Foundry模式、应用市场与价格走势
按照阳明交通大学半导体产业学院院长张翼的说法:第三代半导体能源转换效率能达到 95% 以上,一旦被大幅采用,可以帮助台湾省下一座核电厂的电。温室气体排放量主要来自能源,而电力占到世界能源消耗总量的约三分之 ...
2021-7-29 11:35
车,不用SiC都不好意思叫电动出行
电动出行势头迅猛,助推主机厂和功率半导体展开深度合作,碳化硅(SiC)的汽车应用正在提速。市场调研公司YoleDéveloppement在《电动出行之功率电子2021》中指出:“在市场增长和设计机会方面,SiC已成为最具活力的 ...
2021-7-29 11:34
华为入局氮化镓快充市场,2021或迎GaN快充爆发期?
今天,华为商城上架了其首款65W 1A1C氮化镓(GaN)超级快充充电器。7 月 29 日到 31 日开启抢购,31 日之后发货。据悉,华为这款充电器发布于去年9月,单口最大充电功率 66 W,双口组合输出总功率最大为 62.5 W Max ...
2021-7-29 11:33
扩产能,降成本!意法半导体制造首批200mm碳化硅晶圆
晶圆升级到200mm标志着扩大产能,以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功意法半导体(简称ST)宣布,ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一 ...
2021-7-29 11:33
第三代半导体材料-碳化硅介绍
物质的存在形式是多样的,人们通常把导电性差的材料,如木材、琥珀、玻璃等,称为绝缘体;把导电性好的材料,如金、银、铜、铁、铝等金属,成为导体。而导电性介于绝缘体和导体之间的材料,成为半导体。但从材料科学 ...
2021-7-26 09:43
相得益彰:GaN在石墨烯上的外延生长
图片来源:Light: Science Applications撰稿 | 余 烨 邓高强01导读近日,吉林大学张源涛教授研究团队联合北京大学王新强教授、山东大学陈秀芳教授和郑州大学史志锋副教授成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄 ...
2021-7-26 09:41
SiC:极限功率器件的理想的材料
1、 SiC:极限功率器件的理想的材料SiC 是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。C 原子和 Si 原子不同的结合方式使 SiC 拥有多种晶格结构,如4H、6H、3C 等等。4H-SiC 因为其较高的载流 ...
2021-7-23 11:00
罗姆再出“新招”
7月19日,半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽车可靠性标准AEC-Q101 ...
2021-7-23 10:58
氮化镓“上车”,能行不?
本文转载自中国电子报,编者按:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满足新能源汽车电动化、网联化、智能化发展趋势的要求,对新能源汽车发展具 ...
2021-7-23 10:58
叶甜春喊话集成电路产业圈:定力,持之以恒的战略定力
7月15日,中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会(ICDIA 2021)在苏州举办。中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春作《中国集成电路产业创新发展路径思考》主题演讲,分享了对于国内集成电路的“卡点”以及 ...
2021-7-20 10:02
是时候了解氧化镓了
在IEEE SPECTRUM中文版《科技纵览》2002年5月刊中,已故的莱斯特•F.伊斯曼(Lester F. East-man)和乌梅什•K. 米什拉(Umesh K.Mishra)谈到了当时功率半导体界的一项大胆技术:氮化镓(GaN)。对于强大 ...
2021-7-20 10:01
简化 GaN 中低水平 P 型掺杂的测量
在低温下获得的光致发光光谱揭示了 GaN 中的 p 掺杂水平GaN-MOSFET的优化一直受到这种功率晶体管中p型掺杂低水平测量困难的阻碍。但由于Oita大学和MieleTechnologies的日本团队的工作,这个问题不再存在。通过使用低 ...
2021-7-20 10:00
宽禁带半导体与新能源汽车 |“三慢、三急”矛盾并非不可调和
编者按:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满足新能源汽车电动化、网联化、智能化发展趋势的要求,对新能源汽车发展具有重要意义。《中国电子 ...
2021-7-20 10:00
AlPN扩展了氮化物家族
AlPN外延层的生长有望得到更好的高电子迁移率晶体管(HEMTs)和垂直腔面发射激光器(VCSELs)名古屋大学的研究人员与日本可持续发展材料系统研究所之间的合作声称通过生产组分为AlPN的第一外延层而开辟了新的天地。 ...
2021-7-19 09:14
工信部谈汽车芯片短缺:已组建汽车半导体推广应用工作组
集微网消息,工信部新闻发言人田玉龙今日表示,为了积极应对汽车芯片供应短缺问题,工信部组建了汽车半导体推广应用工作组,多次组织召开协调会,充分发挥地方政府、整车企业、芯片企业的力量,加强供需对接和工作协 ...
2021-7-19 09:14

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