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联盟动态

2025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成 ...
2025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成  ...
2025年6月20日,2025企创融通汇——“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办,来自高校科研院所、产业链上下游企业及投资机构的40余位代表齐聚一堂,聚焦宽禁带半导体材料与器件产业 ...
2025-6-24 09:23
河南科之诚在《半导体技术》发表硅基金刚石热沉研究成果——创新散热方式为GaN功率器 ...
河南科之诚在《半导体技术》发表硅基金刚石热沉研究成果——创新散热方式为GaN功率器 ...
近日,河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司研发人员为第一作者,于国内半导体领域核心期刊《半导体技术》发表题为《硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用》的研究论文,系统性研究、仿真并验证了硅基金刚石材 ...
2025-6-18 09:59
深圳平湖实验室GaN课题组研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
深圳平湖实验室GaN课题组研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
6月1日至5日,第37届国际功率半导体器件和集成电路年会(IEEE The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics,IEEE ISPSD)在日本熊本召开。IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电 ...
2025-6-18 09:41
宽禁带联盟2025年度第二次团标评审会顺利召开
宽禁带联盟2025年度第二次团标评审会顺利召开
2025年6月5日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第二次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《碳化硅单晶抛光片边缘缺陷的自 ...
2025-6-9 09:27
《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发 ...
《宽禁带半导体大讲堂 第五期 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发 ...
5月13日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑 ...
2025-5-15 09:23
成功举办《金刚石:如何突破性能极限,打开产业新蓝海?》宽禁带半导体大讲堂技术交流 ...
成功举办《金刚石:如何突破性能极限,打开产业新蓝海?》宽禁带半导体大讲堂技术交流 ...
4月9日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会主办的“宽禁带半导体大讲堂第四期——金刚石:如何突破性能极限,打开产业新蓝海?”在机械工业出版社融媒体 ...
2025-4-11 09:27
中关村“火花”活动之“设备-材料-制造-工艺”半导体产业链协同创新沙龙顺利举办
中关村“火花”活动之“设备-材料-制造-工艺”半导体产业链协同创新沙龙顺利举办
在全球半导体产业竞争加剧与技术创新迭代的背景下,材料与设备作为产业链的“基石”环节,正面临从第三代半导体(碳化硅、氮化镓)向第四代(氧化镓、金刚石)的跨越。技术革新与产业应用呈现双向驱动趋势:材料端加 ...
2025-4-7 09:37
宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开
宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开
2025年4月2日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开,此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一 ...
2025-4-7 09:27
宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
宽禁带科技论|Nature Review EE: 第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
自2015年起,195个国家签署了《巴黎协定》,共同致力于减少温室气体排放,并设定了到2050年实现碳中和的目标。目前,能源使用约占全球温室气体排放总量的75%,主要涉及四大领域:发电、交通运输、工业制造,以及建筑 ...
2025-1-24 11:22
宽禁带科技论|KAUST:超宽禁带氧化镓晶相异质结
宽禁带科技论|KAUST:超宽禁带氧化镓晶相异质结
研究梗概在科技的快速发展中,超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓(Ga2O3)晶相异质结(Phase Hete ...
2025-1-24 11:20
团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布
团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布
2024年12月23日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的宽禁带半导体器件突破了传统Si ...
2024-12-25 10:23
宽禁带联盟第二届第三次会员大会成功召开
宽禁带联盟第二届第三次会员大会成功召开
2024年11月6日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)第二届第三次会员大会在深圳市坪山燕子湖国际会展中心C馆成功召开。本次会议由宽禁带联盟第二届理事长陈小龙研究员主持,150余位会员 ...
2024-11-15 09:52
【联盟动态】《高级研修班暨宽禁带半导体大讲堂—— 先进封装技术助力宽禁带半导体产 ...
【联盟动态】《高级研修班暨宽禁带半导体大讲堂—— 先进封装技术助力宽禁带半导体产 ...
高级研修班暨宽禁带半导体大讲堂先进封装技术助力宽禁带半导体产业高质量发展技术交流活动成功举办10月25日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社主办的“高级研修班暨宽禁带半导体大讲堂——先进 ...
2024-10-30 14:00
宽禁带联盟团体标准《6~8英寸碳化硅单晶抛光片》荣获高质量团体标准称号
宽禁带联盟团体标准《6~8英寸碳化硅单晶抛光片》荣获高质量团体标准称号
为深入实施《国家标准化发展纲要》和《首都标准化发展纲要2035》,以标准促进首都高质量发展,加强国际标准化学术交流,增强标准化工作者的荣誉感和责任感,2024年10月11日,由北京市市场监督管理局、北京市科学技术 ...
2024-10-12 10:14
实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配, 并促使逆变器更加“智能化”和 ...
实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配, 并促使逆变器更加“智能化”和 ...
实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配, 并促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”CISSOID与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议,建立联合电驱动实验室,共同开展相关前沿技术 ...
2024-9-25 09:22

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