CN200910236735-一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法

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发布时间: 2016-7-13 17:34

一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法申请号：200910236735.3 申请日：2009-11-05 申请(专利权)人新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京天科合达蓝光半导体有限公司中国科学院物理研究所地址832000 新疆 ...

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