CN200610081294-一种碳化硅单晶生长后的热处理方法

正文摘要:

一种碳化硅单晶生长后的热处理 方法 申请号：200610081294.0 申请日：2006-05-29 申请(专利权)人中国科学院物理研究所 地址100080北京市海淀区中关村南三街8号 发明(设计)人朱丽娜陈小龙 倪代秦 杨慧 彭同华 ...