近日,据台媒报道,晶圆代工厂汉磊总经理刘灿文表示,目前客户下单仍相当保守,预期下半年营收将较上半年呈低个位数下滑。

硅基制程产能利用将在50%以下。此外,由于客户端库存过剩、客户进行产品移转及设备性能升级,碳化硅产能利用率虽低于预期,但仍可维持在90%以上。

汉磊目前碳化硅制程为第二代,即将推出第三代平面MOSFET技术制程,预计在明年第一季准备就绪,产能效率将优化30%,足以媲美外商IDM大厂。

刘灿文进一步指出,目前订单能见度不佳,因为宏观需求仍然普遍疲软,客户对下一季仍然非常保守,不过,客户也相信半导体产业将在2024年复苏,意味着许多客户对下半年抱持着积极乐观的态度。

据刘灿文透露,汉磊2024年碳化硅产能将较今年增加一倍,2025年产能将是2023年的三倍。

此外,受到成本上升、产能利用率下降影响,预期下半年毛利率将微幅下滑,而化合物半导体//FRD/TVS/ATV MOSFET产品项将占下半年营收之80%以上
而汉磊看好汽车、工业和绿色能源产业的需求将会强劲,进而带动碳化硅产品需求上扬,尤其产品规格提升在今年底逐步完成,因此,汉磊未来化合物半导体营收将逐季成长。

今年2月,蓉矽半导体与汉磊科技签订长期战略合作协议,进一步深化了双方在碳化硅SiC制造方面的合作关系。

根据协议,汉磊科技将向蓉矽半导体开放 SiC 工艺平台并将其代工产品优先级列为第一等级。这有力加强了蓉矽半导体供应链保障,促进了碳化硅SiC功率半导体器件的快速发展,从而得以满足日益增长的市场需求,为客户创造更多价值。

汉磊科技股份有限公司位于中国台湾,成立于1985年,是小尺寸晶圆代工厂中最具市场价值及发展潜力的企业之一,拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座6英寸晶圆厂,可同时提供硅和宽禁带(WBG) 半导体专业代工服务,包括碳化硅 (SiC) 和氮化(GaN)。

其中,4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs,6英寸月产能分别为17 000 pcs和33 000 pcs。SBD/平面结势垒肖特基(JBS)平台良率超过95%,SiC产品极具竞争力。

2021年4月,汉磊宣布投资50亿新台币,全力发展氮化镓和碳化硅外延和器件代工。公司预计2023年化合物半导体营收比重将突破5成。

参考来源:yahoo、鉅亨网、芯TIP

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