英飞凌 | 2024年将是SiC在车载充电机的爆发年，2025年后GaN车载充电机方案

日前，IEDM 2023（2023 IEEE国际电子器件会议）在美国旧金山召开，IEDM是全球最大的电子器件国际会议。本次 IEEE IEDM 年会的主题是 "基于 60 年 CMOS 技术的智能世界设备"

会议第一天，全球最大的功率半导体制造商德国英飞凌科技公司（Infineon Technologies）上台宣布了英飞凌逐步改进车载充电器所用功率半导体材料的战略。

英飞凌首先申明，碳中和趋势将进一步推动“高效的功率半导体的技术采用”。具体而言，SiC 和 GaN 等高效功率半导体在电动汽车 （EV）、数据中心和电池供电的非高峰电源中的使用正在加速。

图：为应对碳中和，SiC和GaN在多种应用中被采用

例如，碳化硅越来越多地用于汽车电机逆变器。数据显示，使用SiC主驱，与使用Si功率半导体相比，标准行驶条件下的行驶里程提高了10~12。

原因是开关损耗大大降低。另一方面，如果在不使用SiC的情况下将续航里程延长10~12%，“需要更大、更重、更昂贵的电池”。这就解释了为什么碳化硅比IGBT更昂贵，但却越来越多地被用于汽车电机的逆变器。

SiC和GaN正在越来越多的在EV中被使用

SiC在主驱成功应用的案例，说明了如果使用SiC或者GaN等高效功率半导体时，公司可以在系统层面上提升性能，从而降低成本。EV方面，英飞凌预计将进一步增加在高效功率半导体的投入，尤其是车载充电器，因为能够有效地减少车载充电机的体积。

英飞凌就此展示了其路线图，表示将推进SiC替代Si基半导体，从而将OBC的功率密度提升一倍至4kw/L。随后，将进一步推进GaN的应用，将功率密度提升至6kw/L以上。

根据英飞凌的规划图，英飞凌将在2024年全面推进车载充电机的SiC应用，并2025年之后，进一步推进GaN在车载充电机上的使用和渗透。（完）
文章来源：日经xtech

话外：
除了公布碳化硅和氮化镓的战略进展之外，英飞凌昨日还通过线上直播的方式介绍了用于工业硬开关应用的大功率IGBT单管产品。

特别是新推出针对光伏和储能市场的 IGBT7 H7系列产品，可以覆盖光伏逆变器150KW和储能PCS 100KW主流功率段的市场应用。

来源： 碳化硅芯观察

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