多款产品通过车规级认证，瞻芯电子持续发力

近日，据瞻芯电子官微消息，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。

据悉，TO263-7塑封贴片封装，对比传统的TO247封装，体积更小，贴片焊接更简便，导通损耗也更低。

而为了满足多种场景应用需求，瞻芯电子开发了多种规格的TO263-7封装SiC MOSFET产品，电压平台包括650V, 1200V, 1700V，导通电阻覆盖25mΩ-1Ω。

瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子自建的SiC晶圆厂来研发和生产的。2023年，瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品有多个突破性进展：

■ 1700V SiC MOSFET产品

2023年11月，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。

该产品是瞻芯电子的第二代碳化硅(SiC) MOSFET中1700V平台的产品，同样采用车规级TO263-7贴片封装，对比插件封装，体积更小，阻抗更低，安装更简便，且有开尔文栅极引脚。因此该产品特别适合高电压、小电流、低损耗的应用场景。

目前，瞻芯电子开发的1700V碳化硅(SiC) MOSFET系列产品，包括了3种导通电阻：1Ω、10Ω、50Ω，同时有2种封装形态：TO263-7与TO247-3，还有无封装的裸芯片产品。

■ 1200V 40mΩ SiC MOSFET

2023年8月，瞻芯电子1200V 40mΩ SiC MOSFET（IV2Q12040T4Z）获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。

该产品采用T0247-4封装，具备开尔文源极引脚，能减小主回路对驱动信号的影响，因此更适合高功率、高频率、高效率的应用场景。

首款产品车规级认证的通过，不仅验证了瞻芯电子第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续量产的其他SiC MOSFET产品奠定了坚实基础，同时也标志着瞻芯电子碳化硅晶圆厂迈进新的阶段。

据悉，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。

在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

除此之外，在产品方面，瞻芯电子在2023年6月正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。

在2023年3月，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC) MOSFET产品（IV1Q06040L1 和IV1Q06060L1G），分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。

这两款产品是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~ 175°C 工作温度范围。

End.

在应用为导向的功率半导体领域，拥有SiC MOSFET自主设计、工艺、制造平台和产品快速迭代能力的IDM企业尤其值得关注。伴随着2022年自主建设的SiC晶圆厂建成投产，2023年第二代SiC MOSFET产品的不断突破，瞻芯电子已成为国内极少数具备SiC MOSFET IDM能力的功率半导体整体解决方案商。

来源：芯TIP

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