思锐智能完成B+轮融资

近日，ALD镀膜等半导体前道工艺设备厂商思锐智能完成B+轮融资，本轮投资方为青松资本，中金资本、中车四方所、中车资本、石溪资本、千帆资本等知名机构。

思锐智能主要聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，其核心产品为原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备。

当前，前道设备用于晶圆制造过程，覆盖从光片到晶圆的成百上千道工序，主要有光刻机、刻蚀机、薄膜沉积机、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备八大类。按重要性来看，离子注入机仅次于光刻机。除设备要求外，因离子注入机应用于掺杂工艺，因此其验证工作复杂且周期漫长。

离子注入机又可以分为高能机和大束流。思锐智能SRII-8M机型就属于高能机，SRII-60系列产品为大束流离子注入机。

ALD技术来源于对芬兰倍耐克公司的收购，可广泛应用在第三代半导体中，可以使镀膜材料以单原子层的形式沉积在表面，在沉积层的厚度控制、3D复杂材料表面均匀度、表面无针孔等方面具有显著优势。

在氮化镓的功率器件解决方案中，ALD技术可以增强高功能氮化镓的性能，主要体现在以下五个方面，

• 一是通过ALD薄膜实现表现的钝化和覆盖；
• 二是通过氧化铝叠层实现高K介电质的沉积；
• 三是通过原位预处理去除自然氧化层，实现表面稳定，以提高整个器件的性能；
• 四是通过低温ALD叠层实现精密封装；
• 五是通过高质量的ALD氮化铝形成缓冲层，目前正处于研发阶段。

在碳化硅解决方案中，ALD能够实现非常高质量的介电质以及界面工程，通过使用ALD技术，降低界面态的密度，提升整个电子迁移率，从而提升整个器件的性能。在碳化硅MOSFET解决方案中，传统的氧化物有可能会因为碳化硅不同的晶体暴露而实现氧化，但是有了ALD技术，这个问题就可以得到很好的解决。另外，在原位等离子的处理中，ALD技术可以实现高效的碳化硅钝化。等离子处理后，整体的钝化效果和碳化硅的情况都能够得到很好的优化。

目前思锐智能ALD技术业务进展迅速，包括

• 在GaN领域，2022年加入IMEC GaN Power IIAP项目组，与IMEC、GaN Power的IDM 和Fab厂商共同推进GaN功率应用的创新。2023年与英诺赛科签署协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。
• Micro-LED领域，ALD设备在全球头部Micro-LED客户端验证通过，帮助提升产品发光效率；
• SiC领域，携手国内外客户共同开发ALD解决方案，其中一个重点方向就是采用ALD的工艺沉积栅极介质层以提升器件性能等。

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来源：NE时代半导体

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