三菱电机｜推出两款新型 SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块

三菱电机株式会社昨日宣布，该公司已于 6 月 10 日起开始为大型工业设备（包括机车车辆和电力系统）出货低电流 3.3kV/400A 和 3.3kV/200A 版本的肖特基势垒二极管 (SBD) 嵌入式碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 模块。

与现有的 3.3kV/800A 版本一起，新命名的 Unifull TM系列包含三个模块，以满足大型工业设备对能够提高功率输出和功率转换效率的逆变器日益增长的需求。新模块将在主要贸易展会上展出，包括 6 月 11 日至 13 日在德国纽伦堡举行的 2024 年欧洲电力转换智能运动 (PCIM) 展会。

三菱电机的 SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块（包括 3 月 29 日发布的 3.3kV/800A 版本）采用优化的封装结构，以降低开关损耗并提高 SiC 性能。与现有电源模块相比，Unifull TM模块可显著降低开关损耗，并有助于提高大型工业设备的功率输出和效率，使其适用于容量相对较小的轨道车辆和驱动系统的辅助电源。

Unifull TM 3.3kV SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块

产品特性

1. 适用于不同输出容量的低电流模块

• 三菱电机的SBD嵌入式SiC-MOSFET模块新推出了3.3kV/400A和3.3kV/200A版本，与现有的3.3kV/800A版本一起，构成了新的Unifull™系列。
• 新的低电流模块适用于铁路车辆的辅助电源和相对较小容量的驱动系统，扩大了提高大型工业设备中不同功率需求的逆变器功率转换效率的应用范围。

2. SBD嵌入式SiC-MOSFET有助于提高逆变器的输出、效率和可靠性

• 采用优化封装结构的SBD嵌入式SiC-MOSFET，与三菱电机现有的全SiC功率模块*相比，开关损耗降低了54%，与公司的现有Si功率模块**相比降低了91%，有助于提高功率输出和效率。
• 采用双极性模型激活（BMA）单元结构，提高了浪涌承受能力，有助于提高逆变器的可靠性。

三菱电机表示，该款产品的推出，对能够解决高效转换电力的功率半导体的需求日益增长，特别是那些能显著降低功率损耗的SiC功率半导体。大型工业设备的功率半导体模块用于电力转换设备，如牵引驱动系统的逆变器和电源、直流电力传输等。对于能够进一步提高电力转换效率并支持不同输出容量逆变器设计的高功率、高效率SiC模块的需求尤其强烈。

来源：碳化硅芯观察

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