安森美｜推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，加速碳化硅创新

今日，安森美推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，可显著提高高耗电应用。

onsemi 电源解决方案集团总裁 Simon Keeton 表示：“电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果没有重大的电力创新，当今的基础设施就无法满足世界对更多智能和电气化出行的需求。这对于实现全球电气化和阻止气候变化的能力至关重要。”“我们正在引领创新步伐，计划到 2030 年大幅提高碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求并实现全球向电气化的过渡。”

onsemi 将在 2030 年前推出多代碳化硅

onsemi 的 M3e 使系统架构师能够达到前所未有的新性能目标

onsemi EliteSiC M3e 裸片

EliteSiC M3e MOSFET 将在以更低的每千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性方面发挥重要作用，从而影响电气化计划的采用和有效性。

该平台能够在更高的开关频率和电压下运行，同时最大限度地减少功率转换损耗，对于电动汽车动力系统、直流快速充电器、太阳能逆变器和储能解决方案等各种汽车和工业应用至关重要。

此外，EliteSiC M3e MOSFET 将推动向更高效、更高功率的数据中心的过渡，以满足为可持续人工智能引擎提供动力的指数级增长的能源需求。

值得信赖的平台实现代际效率飞跃

凭借安森美独特的设计工程和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在值得信赖且经过现场验证的平面架构上实现了传导和开关损耗的显著降低。与前几代产品相比，该平台可将传导损耗降低 30%，关断损耗降低高达 50% 1。通过延长 SiC 平面 MOSFET 的使用寿命并利用 EliteSiC M3e 技术提供业界领先的性能，安森美可以确保平台的稳健性和稳定性，使其成为关键电气化应用的首选。

EliteSiC M3e MOSFET 还具有业界最低的导通电阻 (R SP ) 和短路能力，这对于在 SiC 领域占据主导地位的牵引逆变器市场至关重要。1200V M3e 芯片采用安森美最先进的分立和功率模块封装，可提供比之前的 EliteSiC 技术大得多的相电流，从而在相同的牵引逆变器外壳中实现约 20% 的输出功率提升。相反，现在可以用减少 20% 的 SiC 含量来设计固定功率水平，从而节省成本，同时实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

此外，安森美半导体还提供更广泛的智能电源技术组合，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器、电子保险丝等，以与 EliteSiC M3e 平台配合使用。安森美半导体端到端组合了优化的、共同设计的电源开关、驱动器和控制器，通过集成实现了高级功能，从而降低了整体系统成本。

预计未来十年全球能源需求将会猛增，对提高半导体功率密度的需求至关重要。安森美半导体正引领其碳化硅发展路线图的创新 - 从芯片架构到新颖的封装技术 - 这将继续满足整个行业对提高功率密度的需求。

随着每一代碳化硅的推出，单元结构将得到优化，以有效地将更多的电流通过更小的面积，从而提高功率密度。当与公司先进的封装技术相结合时，安森美将能够最大限度地提高性能并减小封装尺寸。通过将摩尔定律的概念应用于碳化硅的开发，安森美可以同时开发多代产品，并加速其路线图，以更快的速度在 2030 年之前将几款新的 EliteSiC 产品推向市场。

onsemi 电源解决方案事业部技术营销高级总监 Mrinal Das 博士表示：“我们正在运用数十年的功率半导体经验，突破工程和制造能力的速度和创新界限，以满足不断增长的全球能源需求。碳化硅的材料、器件和封装之间存在巨大的技术相互依赖性。完全掌握这些关键方面使我们能够控制设计和制造过程，并更快地将新一代产品推向市场。”

采用行业标准 TO-247-4L 封装的 EliteSiC M3e MOSFET 现已开始提供样品。

来源：碳化硅芯观察

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