7.6亿，爱思强新研发中心揭牌

12月13日，德国沉积设备商爱思强宣布，其位于德国黑措根拉特（Herzogenrath）创新研发中心正式揭牌。

source：爱思强

项目总投资1亿欧元（约合人民币7.6亿元），于2023年11月正式奠基建设。创新研发中心专为氮化镓和其他化合物半导体应用向12英寸晶圆发展而设计。

爱思强表示，研发中心具有1000㎡的洁净室，将为化合物半导体行业往12英寸晶圆发展奠定基础。

爱思强总裁兼首席执行官 Felix Grawert 博士表示，凭借创新中心新的洁净室，公司将进一步扩大在技术市场上的领先地位。目前，爱思强已经拥有了首批12英寸氮化镓原型设备，设备已被集成到多家客户的试验生产线中。

值得注意的是，2024年前三季度，爱思强营收约4.064亿欧元（约人民币31.42亿元），其中氮化镓和碳化硅电力电子设备业务快速成长，订单量持续增长。

展望2025年，爱思强曾表示，氮化镓和碳化硅电力电子设备上的增长驱动力依然稳固。

随着此次爱思强创新研发中心的建成，未来爱思强研发能力将进一步提高，提升设备新品性能，推动其在第三代半导体领域发展布局，稳固爱思强在沉积设备领域的地位。

来源：集邦化合物半导体

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。