富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能优异，同步推出长晶设备

杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。

在高精度的热场仿真技术强力支持下，公司早先于 2024 年 12 月成功实现了 4 英寸 VB 法氧化镓晶体生长，并不断进行工艺及装备升级，同时开展超光滑加工及表征测试。测试结果表明，使用富加镓业设备生长出的 4 英寸 VB 晶体内无孪晶，单晶衬底 XRD 半高全宽（FWHM）优于 50 arcsec，与导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当，性能达到国际先进水平；衬底表面粗糙度（Ra）小于 0.2 nm，弯曲度（Bow）达到 1.8 μm，翘曲度（warp）达到 9.3 μm，总厚度偏差（TTV）< 10.0 μm，相关加工指标达到 4 英寸碳化硅衬底产品要求。

图1、 4 英寸 VB 法氧化镓衬底

图2、 4 英寸 VB 氧化镓晶圆 XRD 数据

图3、 4 英寸 VB 氧化镓衬底粗糙度

富加镓业进行了多轮次 2-4 英寸 VB 法氧化镓晶体生长，不断升级装备性能，验证生长装备稳定性。VB 法装备的成功研制，不仅标志着公司在技术创新上取得了重大突破，更有力地印证了公司坚持 “工艺与装备双轮驱动” 发展战略的前瞻性与正确性，是公司于 2024 年 5 月在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术后又一里程碑事件（点击了解详情）。公司现正式推出拥有自主知识产权的 VB 法氧化镓晶体生长设备及配套生长工艺包，加速氧化镓领域产业生态构建，推动氧化镓半导体产业的蓬勃发展。

图4、 VB 法氧化镓晶体生长装备

未来，富加镓业将继续秉持创新驱动发展和繁荣氧化镓行业的理念，不断提升装备及工艺技术水平，为行业发展贡献更多的力量。

来源： 亚洲氧化镓联盟

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。