宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（三月）

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政府工作报告提及具身智能，氮化镓大有可为　　

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北京量子院基于单晶碳化硅薄膜刷新了国际记录

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全球首发：杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶

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日本 Orbray 开发出20mm×20mm金刚石单晶基板

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西电张进成教授、张金风教授在金刚石高压功率器件领域取得重要进展

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NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍

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重投天科与鹏进高科、尚阳通科技联合，攻关8英寸外延片功率器件工艺

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昕感科技：携手浪潮集团等推进SiC战略合作　

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清纯半导体：将为大众汽车供应SiC芯片

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广汽埃安&新镓能：成立车规级研发中心

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四川普州大地携手新加坡拓谱电子签署合作协议，聚焦超高压碳化硅大功率芯片

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泰昕微电子+恒邦科技：成立变频器集成模块联合实验室

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马自达和罗姆联合开发车规GaN组件

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金威源&杰平方达成碳化硅战略合作

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Power Cube&GM Jeco推动车规级SiC模块研发

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天科合达多款新品首发　

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九峰山实验室：GaN系列成果首次发布

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北方华创：发布首款12英寸电镀设备以及离子注入机Sirius MC 313

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西湖仪器：率先实现12英寸碳化硅衬底激光剥离

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青禾晶元发布全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备

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新凯来发布6大类31款半导体设备新品，五款“名山系列”高端设备震撼全场

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比亚迪量产全新一代1500V车规级SiC芯片

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瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块

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瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用

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重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

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比亚迪&大疆：车载无人机采用氮化镓技术

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博电科技：自研高性能SiC检测设备填补国内空白

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SemiQ发布三款新型1200V SiC全桥模块

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东风、起亚、沃尔沃、尊界、理想和宝马等车企发布7款SiC车型

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芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

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安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块

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纳微半导体：发布双向氮化镓开关

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英飞凌：发布硅基封装GaN

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德州仪器：发布集成式GaN芯片

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平湖实验室：沟槽SiC MOS新工艺，无需离子注入

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日本SiC模块新技术：MOS开关速度提升10倍

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富加镓业：氧化镓MOCVD同质外延技术取得突破

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瀚天天成：8英寸SiC产线已建成，正式采购设备