九峰山实验室推出氧化镓科研级功率单管及“coupon to wafer”流片平台

近日，九峰山实验室（JFS Lab）向各科研机构提供氧化镓”Coupon to wafer”流片研发平台，同时提供多种科研级功率器件封装单管。包括JFS创新的Planar SBD、Trench SBD（肖特基势垒二极管）器件和平面MOSFET器件。它们都是基于全氧化镓材料制造，标志着JFS Lab在氧化镓半导体器件研发工艺平台有了较好的技术积累。此次发布的SBD和MOSFET科研级封装器件旨在满足客户对氧化镓器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动氧化镓行业的产业化发展。

00 JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技术流片平台

JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技术，实现小尺寸WBG材料在6/8寸量产型Fab线上开发和小批量生产，让小尺寸材料也能采用6/8寸高精度稳定性工艺设备批量制造。同时，未来可实现WBG器件和硅CMOS逻辑控制的异质集成，扩展多材料多功能集成技术，同步提升氧化镓器件的散热能力。

01 Planar SBD

产品亮点与特性

JFS Lab此次推出的Planar SBD器件制造简单，具有较大的正向电流密度和高反向电压，专为研究氧化镓器件电学性能及早期应用探索而设计。

•规格：电极尺寸为110*110 (μm2)，2*2(mm2)等多种规格及定制化需求，可为客户提供bare die和封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。

02 Trench SBD

产品亮点与特性

JFS Lab特有IP两级沟槽SBD结构，更好的肖特基区掩蔽，增强可靠性同时保持较好的电流通路和正向导通能力，核心专利包括CN113990801A，CN119486231A，CN116207164A等。

•规格：电极尺寸为2.5*2.5 (mm2)，可为客户提供bare die和封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。

03 Planar MOSFET

产品亮点与特性

JFS Lab首个通过氮注入形成高阻区构造栅极电场掩蔽结构的垂直MOSFET，具备未来实际应用中高可靠性栅极电场保护（氧化镓中临界电场理论上可达8MV/cm，远高于SiC的3MV/cm），独有IP系列知识产权，核心专利CN116705616A。

•规格：测试样品（仅4个cell）电极极尺寸为250*250 (μm2)，后期逐步推出大电流规格芯片（5-20A），可为客户提供bare die和封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。

04 器件封装

封装形式：TO金属封装

来源：第三代半导体产业

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