论文推介丨山东大学/晶镓半导体 · 成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激光器、有源相控阵雷达、电力电子器件等领域具有重要应用。HVPE方法因其生长条件温和、生长速度快、生长尺寸大、掺杂可控等优点，是目前商业制备大尺寸GaN单晶衬底的主流方法。然而异质衬底因晶格失配和热膨胀系数差异引发的应力集中和位错延伸等难题，始终是制约GaN器件可靠性的瓶颈，直接影响器件的工作寿命。

《人工晶体学报》2025年54卷第4期（已网络优先出版）发表了题为《4英寸高质量GaN单晶衬底制备》的研究快报（第一作者：齐占国；通信作者：王守志、张雷），报道了山东大学与山东晶镓半导体有限公司在4英寸高质量GaN单晶衬底制备方面取得的重大突破。该论文利用独特的多孔衬底技术成功制备4英寸高质量GaN单晶衬底，其位错密度低至~9.6×105 cm-2。4英寸GaN衬底技术突破及规模化生产对GaN基器件（如蓝绿激光器与功率电子器件）的发展具有重要意义。

论文题录●●

齐占国, 王守志, 李秋波, 王忠新, 邵慧慧, 刘磊, 王国栋, 孙德福, 于汇东, 蒋铠泽, 张爽, 陈秀芳, 徐现刚, 张雷. 4英寸高质量GaN单晶衬底制备[J]. 人工晶体学报, DOI:
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2025.4001.

QI Zhanguo, WANG Shouzhi, LI Qiubo, WANG Zhongxin, SHAO Huihui, LIU Lei, WANG Guodong, SUN Defu, YU Huidong, JIANG Kaize, ZHANG Shuang, CHEN Xiufang, XU Xiangang, ZHANG Lei. Preparation of 4-Inch High-Quality GaN Single Crystal Substrates[J]. Journal of Synthetic Crystals, DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2025.4001.

//文章导读

本文采用垂直HVPE反应系统，以直径120 mm的蓝宝石基GaN多孔衬底作为籽晶进行GaN晶体生长。通过精准调控气相V/III比，在生长过程中形成具有位错阻隔功能的孔洞，该结构同时为后续降温过程中的晶片自剥离提供弱界面连接，有效缓解热应力积累。针对生长的GaN晶体（见图1(a)），采用激光切割技术去除边缘微裂纹及缺陷区，经退火、研磨、抛光处理，获得无损伤、表面光滑的4英寸GaN单晶衬底（见图1(b)）。阴极荧光测试结果显示晶体的位错密度低至9.6×105 cm-2（见图1(c)）；原子力显微镜（见图1(f)）测试衬底表面形貌粗糙度达到原子级（Ra<0.2 nm），满足器件外延生长需求；高分辨X射线衍射仪（HRXRD）和拉曼测试表明该衬底的结晶质量高、残应力小且分布均匀，这有利于后续器件外延层质量的提升，进一步降低GaN基器件性能衰减（见图1(d)~(e)）。

图1　GaN衬底测试结果。(a)生长后的超4寸原生GaN单晶照片；(b)研磨抛光后的4英寸GaN单晶衬底照片；(c)CL图像；(d)拉曼图谱；(c)(002)面高分辨XRD摇摆曲线；(f)AFM照片

结　论

本文结合多孔衬底技术和应力调控策略成功获得了低应力、高质量的4英寸GaN单晶衬底。该4英寸GaN衬底在尺寸、晶体质量（FWHM平均值为57.91″，位错密度为~9.6×105 cm-2）、应力均一性和表面质量方面（无损伤、Ra<0.2 nm）均表现优异，达到国际先进水平，为高功率、高频器件的批量制备奠定了基础。

通信作者●●

张雷，山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师，《人工晶体学报》青年编委；山东省泰山学者青年专家，山东晶镓半导体有限公司董事长。主要从事宽禁带氮化物半导体（GaN、AlN）晶体生长及性能研究工作，氮化物半导体晶体研究方向负责人，先后主持了中央高校科技领军人才团队项目、国家自然科学基金等国家及省部级项目20余项，在Adv Mater等期刊发表SCI论文80余篇，获授权发明专利30余项，其中4项实现了成果转化。

王守志，山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师；山东晶镓半导体有限公司，总经理。长期从事氮化镓半导体材料与器件的研究工作，先后主持国家自然科学基金等国家及省部级项目10余项，发表SCI论文60余篇，申请/授权发明专利30余项。

来源：人工晶体学报

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。