近日,清纯半导体和VBsemi(微碧半导体)分别推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET产品平台,标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。 01.清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台 4月21日,清纯半导体官微宣布,推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技术平台,该平台首款主驱芯片(型号:S3M008120BK)的常温导通电阻低至8mΩ,比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm2,处于国际领先水平。 source:清纯半导体 (图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化)
source:清纯半导体 (图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化) source:清纯半导体 (图为S3M008120BK芯片输出特性) 据悉,该产品额定电压为1.2kV,额定电流超过220A,室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效的芯片面积下,与上一代技术相比导通损耗降低约20%,能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。 source:清纯半导体 (图为S3M008120BK芯片与2代同类产品反向恢复波形对比)
值得注意的是,今年1月9日,清纯半导体与士兰微电子深化8英寸SiC量产线技术支撑与代工合作。士兰微电子的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线预计2025年一季度封顶,四季度末初步通线,2026年一季度试生产。双方将共同开发包括沟槽型SiC MOSFET等新产品,清纯半导体将为士兰微电子8寸碳化硅量产线提供技术支撑,士兰微电子则为清纯半导体提供独家代工服务。 近期,士兰微官方表示,其已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发,性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测,基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。 02.VBsemi第三代SiC MOSFET发布 近期,VBsemi(微碧半导体)针对电动汽车直流快充、储能系统(ESS)及双向充电(V2G)等关键领域,推出多款基于第三代SiC技术的MOSFET产品。 官方资料显示,VBsemi的第三代SiC MOSFET采用先进SiC工艺,开关损耗降低50%以上,系统效率突破96%。与IGBT方案相比,其显著减少热能损耗,简化冷却设计。 source:VBsemi (图为VBsemi MOSFET为快充与储能优化设计) 据悉,其具备高功率密度。小封装(如T0247、T02474L)支持高电流输出,节省PCB空间。例如VBsemi VBP112MC100在100A电流下导通电阻仅21mΩ,适合大功率密集部署。其全系列器件已通过严格的动态参数测试,确保高温、高湿等严苛环境下的稳定性。 在近日举办的慕尼黑上海电子展上,VBsemi展示了其在功率半导体领域的最新技术与产品,包括VBP112MC100、STD45N10F7-VB、VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等,吸引了众多行业同仁和客户的关注。 来源:集邦化合物半导体 *声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。 |