今天继续讲先进封装。


 晶圆级封装


我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)。


传统封装,是先切割晶圆,再封装。


而晶圆级封装的核心逻辑,是在晶圆上直接进行封装,然后再切割,变成芯片。

举个例子:传统封装,是先把大面团切成一块块,然后分别烘烤成蛋糕,分给大家吃。而晶圆级封装,是先烤一个大蛋糕,然后切成一块块,分给大家吃。


从更广泛的意义上讲,任何在晶圆这一层级进行全部或部分加工的封装,都可以被认为是晶圆级封装。


晶圆级封装出现于2000年左右,是半导体产业追求更高效率、更低成本的产物。


在晶圆上进行封装过程,能够带来以下好处:


1、由于侧面未涂覆封装材料,因此封装后的芯片尺寸较小。晶圆上,晶粒的密度更高,平均成本更低。


2、方便批量生产制造芯片,缩短工期,总体成本也比较低。


3、芯片设计和封装设计可以统一考虑,提升设计效率,降低设计成本。


晶圆级封装,可以分为:扇入型晶圆级封装(Fan-In WLP)和扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLP)。


这里的“扇(Fan)”,指的是芯片的尺寸。

我们分别来介绍。


· 扇入型WLP(FIWLP)


早期的WLP,多采用扇入型。扇入型的封装布线、绝缘层以及锡球,都位于晶圆的顶部。封装后的尺寸,和芯片尺寸是相同的。

上期小枣君说过,芯片面积与封装面积之比超过1:1.14的封装,是CSP(芯片级封装)。扇入型WLP都1:1了,显然也属于CSP。所以,由扇入型晶圆级封装技术制成的封装,也称为晶圆级芯片级封装(WLCSP)。


扇入型WLP,通常可以分为BOP(Bump On Pad,垫上凸点)和RDL(ReDistribution Layer,重布线层)两种方式。


BOP封装的结构非常简单,Bump(凸点)直接构建在Al pad(铝衬板)的上面。如果Bump的位置远离Al pad,那么,就需要通过借助RDL技术,将Bump与Al pad进行连接。

大名鼎鼎的RDL,终于出现了。


我们需要单开一节,专门介绍一下它。


· RDL


RDL的全称,是ReDistribution Layer(重布线层)。


RDL是晶圆级封装(WLP)的核心技术,也是后面2.5D/3D立体封装的核心技术。在先进封装里,它占有重要地位。


它是在晶粒下面的中介层上进行重新布线,实现I/O端口的重新布局。

简单来说,它就像我们平时看到的PCB电路板。只不过,真正的PCB板是在芯片的外面,把各个成品芯片和元器件连起来。


而RDL,是封装内部的“PCB板”,方便了XY平面(横向平面)的电气延伸和互联。它提升了封装内部电气连接的灵活性,能够让芯片内部布局更合理、更紧凑。


基于RDL,晶圆芯片上的“细间距”外围阵列,可以变成“更大间距”阵列。


基于之前晶圆制造的文章,大家会发现,RDL很像晶粒内部的金属连线(立交桥)。

晶粒内的金属沉积


是的,RDL的工艺,和晶圆制作流程中的“盖楼”流程差不多(可以参考晶圆制作的那期),主要就是光刻、涂胶显影、刻蚀、溅射沉积、电镀铜等工艺。


RDL也属于将晶圆制造(前道)工艺降维到封装(后道)中使用。和凸点一样,也是中道工序。


目前,主流的RDL工艺有两种:


第一种,是基于感光高分子聚合物,并结合电镀铜与刻蚀工艺实现。

1、在晶圆表面涂覆一层聚合物薄膜,可选的聚合物材料包括光敏聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)以及聚苯并恶唑(PBO)。这是为了增强芯片的钝化层并起到应力缓冲的作用。


2、加热固化后,使用光刻工艺在所需位置进行开孔,之后进行刻蚀。


3、通过物理气相沉积工艺(PVD),溅射Ti(钛)与Cu(铜),分别作为阻挡层与种子层。


4、再来一波光刻、刻蚀工艺,把RDL层的空间给挖出来。


5、通过电镀Cu工艺,在暴露出的Ti/Cu层上制造第一层RDL。(注意,电镀是将电解质溶液中的金属离子还原为金属并沉积在晶圆表面。)


6、去除掉光刻胶,并刻蚀掉多余的Ti/Cu。


7、涂覆第二层聚合物薄膜,使圆片表面平坦化并保护RDL层。


8、重复上述步骤,制作多层RDL结构。


另一种工艺,是采用Cu大马士革工艺结合PECVD与CMP工艺实现。


图我实在是不想画了,网上找了一个,供参考:

大致流程:


1、先采用PECVD工艺,沉积SiO2或Si3N4,作为绝缘层。


2、利用光刻与反应离子刻蚀,在绝缘层上形成窗口。


3、分别溅射Ti/Cu的阻挡/种子层以及导体铜,和刚才工艺一样。


4、采用CMP(化学机械研磨,之前介绍过的)工艺,将导体层减薄至所需厚度,形成了一层RDL或通孔层。


5、重复上述步骤,制作多层RDL结构。

基于大马士革工艺制作的多层RDL内部构架


第二种工艺需要采用CMP,制造成本比第一种高。在行业里,第一种用得比较多。


制作完RDL之后,是制作UBM(凸点下金属层),工艺和RDL相似。


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