· 会议背景·

为推动宽禁带半导体产业的可持续发展,突破产业发展的瓶颈,探寻新的发展机遇,宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15日-17日安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。本次论坛以“破局 2025,解锁应用新市场为主题,将聚焦于产业关键技术的研发与创新,深入挖掘潜在的市场需求。

论坛将汇聚宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游的行业精英、知名企业以及国内外相关领域的顶尖专家学者,深入探讨宽禁带半导体产业链协同发展的新路径、关键技术的新突破以及应用市场的新潜力。为宽禁带半导体产业的未来发展贡献智慧与力量,共同谋划产业的发展蓝图。

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我们荣幸邀请到了宽禁带半导体领域的行业精英、知名企业的顶尖专家学者齐聚一堂,共话产业未来。诚邀各展商与听众朋友共赴这场产学研深度交融的思想盛宴!让我们一同揭晓,本次会议将有哪些专家和企业出席?


部分嘉宾介绍


单崇新

郑州大学

教授,副校长

单崇新,教授,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,教育部长江学者特聘教授。郑州大学副校长。单教授主要从事金刚石光电材料与器件研究,发表学术论文300余篇,被引用11000余次。获国家杰出青年基金、长江学者特聘教授、中国青年科技奖、中组部万人计划“青年拔尖人才”、人社部“百千万人才工程”及国家有突出贡献中青年专家、中原学者、河南省杰出专业技术人才、河南省五四青年奖章、河南省创新争先奖状、河南省优秀科技专家等奖励和荣誉。

龙世兵

中国科学技术大学

教授,微电子学院常务副院长、执行院长

龙世兵,中国科学技术大学教授、博士生导师,中国科学技术大学微电子学院常务副院长、执行院长,从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件(功率器件及探测器件)、存储器电路设计等领域的研究。国家杰出青年科学基金获得者,IEEE高级会员。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等国际学术期刊上发表论文100余篇,SCI他引5500余次。申请专利100余项,主持国家自然科学基金、科技部(863、973、重大专项、重点研发计划)、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。

俞度立

佛山齐诺芯科技有限公司

北京化工大学 教授

报告主题:压电MEMS时钟芯片产业化研究

俞度立,第二批千人计划研究员,国家特聘专家。 俞度立博士作为多年对中国先进智能智造业做出重大贡献的领军人物,2019年荣获北京市战略科学家称号。2021年7月1日作为国家40个外国专家之一,荣誉受邀在天安门观礼台参加建党一百周年庆祝大会活动。2024年9月30日 荣誉应邀参加国庆晚宴。

刘红超

长飞先进半导体有限公司

高级副总裁、首席科学家

刘红超,长飞先进半导体有限公司高级副总裁、首席科学家。十余年多国学术研究及二十多年半导体工业界经历养成了技术产业化与国际化的丰富经验与独特理解。已经在国内外主要学术期刊和国际会上发表论文34篇,获授权国家发明专利权和授权实用新型专利权及集成电路版权40余项。主要产业研究和发展方向:半导体材料、工艺与器件,BioMEMS、物联网用MEMS智能传感器原理、制造工艺及测试技术,智能健康传感器与医联网、数据处理、算法及系统集成,LED照明、显示及其健康应用。

齐红基

杭州光机所 所长

杭州富加镓业科技有限公司 董事长

齐红基,研究员二级,博士生导师,上海光机所学术委员会委员,中国科学院青年创新促进会优秀会员,科技部重点研发计划首席专家,省先进光电功能材料工程研究中心副主任、半导体材料与器件方向学术带头人。主要从事光电功能材料领域研究,主持国家及省部级项目20余项,在国际期刊发表论文150余篇,国内外授权专利近百项,其中国际授权专利16项,兼任中国光学学会光学材料专委会秘书长、中国晶体学会晶体应用与产业分会理事、中国稀土学会稀土晶体专业委员会理事等。

叶建东

南京大学教授,博士生导师

电子科学与工程学院副院长

叶建东,2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博导。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通讯作者近5年发表80余篇高水平论文,主/参编专著4本,授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、基金委杰青/重点/优青、江苏省杰青、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等。第一完成人获江苏省科学技术二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。

李炳生

东北师范大学物理学院

教授,博导

李炳生,东北师范大学物理学院,教授,博导,主要研究宽带隙半导体薄膜MOCVD外延与紫外光电器件的应用。曾在日本产业技术综合研究所,美国纽约城市大学,日本东京大学先进研究院,哈尔滨工业大学利用MBE和PLD技术开展半导体光电子器件研究工作。先后获得科技部变革性重点项目,NSF面上项目,青年基金,日本JSPS等项目支持。

张 雷

山东大学

教授

报告主题:氮化物(GaN、AlN)晶体生长研究新进展

张雷,山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师,《人工晶体学报》青年编委;山东省泰山学者青年专家、山东晶镓半导体有限公司董事长。主要从事宽禁带氮化物半导体(GaN、AlN)晶体生长及性能研究工作,氮化物半导体晶体研究方向负责人,先后主持了中央高校科技领军人才团队项目、国家自然科学基金等国家及省级项目20余项,在Adv. Mater.等期刊发表SCI论文80余篇,获授权专利30余项,其中4项实现成果转化。

刘春俊

北京天科合达半导体股份有限公司

董事、副总经理、首席技术官

刘春俊,博士,研究员,现任北京天科合达半导体股份有限公司董事、副总经理、席技术官,长期从事第三代半导体碳化硅单晶材料的研究工作。曾主持多项科技部、北京科委、新疆生产建设兵团的科研项目。授权发明专利36项(含国际发明专利7项),发表学术论文10余篇。

王瑜璞

湖北九峰山实验室

技术专家

报告主题:通用型窄静电和压电MEMS集成工艺设计和实现方案

王瑜璞 博士,国家级高层次海外人才,教授级高级工程师(正高级),IEC国际标准委员会中国注册专家。现任九峰山实验室技术专家。本科及博士均毕业于新加坡国立大学,具有十余年半导体工艺开发工作经验。曾在 Micron 和 GlobalFoundries 负责工艺集成开发和品控工作。曾主导新型磁性材料研发和MRAM器件开发、 GaN 材料生长和表征、CMOS 工艺制程的开发,3D NAND闪存工艺制程开发等项目。目前负责MEMS PDK/TQV的开发和半导体产品工程业务的开展,同时代表中国参与撰写InP的IEC国际标准。

杨 真

广西师范大学

电子与信息工程学院/集成电路学院

副教授、院长助理

报告主题: MEMS磁敏传感器及应用

杨真,博士,副教授,院长助理,硕士生导师、上海交通大学微纳电子系博士,南方科技大、新加坡国立大学访问学者,俄罗斯乌拉尔联邦大学、葡萄牙里斯本微系统与纳米技术研究所博士后。主要研究方向为MEMS磁敏器件研发及应用研究。在国际著名学术期刊发表SCI学术论文60余篇,申请中国发明专利5项,合著专著2部(章)。

仇 旻

欧洲科学院 院士

西湖大学 副校长

仇旻,欧洲科学院(Academia Europaea)院士,国家杰出青年基金获得者,现任西湖大学国强讲席教授、副校长、西湖大学工学院院长、西湖大学光电研究院院长。主要研究方向为微纳光电子学,包括微纳加工技术及仪器装备、微纳光子理论及光电器件、面向智能应用的关键理论与技术等。在2017和2020年作为项目负责人分别牵头“纳米科技”国家重点研发计划项目和国家重大科研仪器研制项目(自由申请类)。2022年7月,荣获2021年度浙江省自然科学奖一等奖。

张金风

西安电子科技大学

教授

报告主题:金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究

西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师。郝跃院士宽禁带半导体团队金刚石半导体方向带头人,国家级科技创新领军人才。主持了国家重点研发计划项目,自然科学基金重点项目等科研项目,出版国内第一部氮化物半导体领域专著《氮化物宽禁带半导体材料和电子器件》以及金刚石半导体器件相关著作《金刚石半导体器件前沿技术》和《宽禁带半导体核辐射探测器》, 发表学术论文70余篇,授权国家发明专利40余项,获得省部级一等奖两项和国家级创新团队奖。

雷光寅

复旦大学 研究员、

清纯半导体 首席科学家

雷光寅,复旦大学研究员、复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长、博士生导师、清纯半导体(宁波)有限公司首席科学家。2010年获美国弗吉尼亚理工大学材料科学与工程专业博士学位。2010年至2018年于美国福特汽车公司任研发工程师;2018年至2020年于上海蔚来汽车有限公司任电动力工程技术专家,负责新能源汽车电驱动系统前瞻项目。2020年加入复旦大学工程与应用技术研究院任研究员。研究领域主要集中在新型纳米材料的开发以及先进半导体功率模块的开发等。2018年入选上海千人(企业创新长期)人才计划。研究成果曾获有着科技界“奥斯卡”奖之称的美国科学技术创新奖(R&D100,2007年度)和2021年中国国际高新技术成果交易会优秀产品将等奖项。

袁 俊

九峰山实验室

研究员、功率器件负责人

报告主题:新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究

袁俊,湖北九峰山实验室功率器件负责人,专注于化合物半导体材料及芯片技术的研究。

王 蓉

浙江大学杭州国际科创中心

研究员

报告主题:碳化硅厚膜外延及其缺陷与杂质调控

王蓉,浙江大学杭州国际科创中心百人计划研究员,入选国家级青年人才。长期围绕碳化硅的缺陷与杂质开展研究工作,在碳化硅单晶生长、衬底加工以及薄膜外延领域,以第一/通讯作者发表SCI论文50余篇,获28项授权的中国发明专利和2项授权的美国发明专利;转让/许可了6项专利,2项关键技术进入中试应用阶段。


路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋