晶体缺陷多、成本高？这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案 - 新闻通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）为代表的III族氮化物半导体，凭借其超宽禁带宽度（GaN~3.4 eV，AlN~6.2 eV）、超高击穿场强、优异的导热性与化学稳定性，已成为支撑新一代光电子器件、射频微波器件和功率电子器件发展的关键核心材料。

值得关注的是，随着材料生长理论的深入发展和装备技术的持续突破，氢化物气相外延（HVPE）和氨热法等技术在GaN体单晶制备领域取得了重要进展；同时，物理气相传输（PVT）法也成功实现了英寸级AlN单晶衬底的制备。这些技术突破为开发具有更高性能、更优可靠性的新一代电子器件奠定了坚实的材料基础。

7月15-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛” 将于安徽省芜湖盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设有产业链协同发展的关键技术突破、宽禁带半导体应用场景新拓展、下一代宽禁带半导体技术研发与产业化、高端智能传感器技术发展与创新四大专场。深入探讨宽禁带半导体产业链协同发展的新路径，为宽禁带半导体产业的未来发展贡献智慧与力量。

届时，山东大学张雷教授将受邀出席论坛，以“氮化物（GaN、AlN）晶体生长研究新进展”为题，带来一场精彩报告，报告将系统阐述氮化物晶体生长方法的突破性进展，揭示高性能氮化物器件的材料基石革新路径，敬请关注！

嘉宾介绍

张雷，山东大学晶体材料全国重点实验室、新一代半导体材料研究院教授、博士生导师，《人工晶体学报》青年编委；山东省泰山学者青年专家、山东晶镓半导体有限公司董事长。主要从事宽禁带氮化物半导体(GaN、AlN)晶体生长及性能研究工作，氮化物半导体晶体研究方向负责人，先后主持了中央高校科技领军人才团队项目、国家自然科学基金等国家及省级项目20余项，在Adv. Mater.等期刊发表SCI论文80余篇，获授权专利30余项，其中4项实现成果转化。

会议信息

一、会议主题

破局 2025，解锁应用新市场——2025 宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛

二、会议时间

2025 年 7 月 15 日-17 日

三、会议地点

芜湖新华联丽景酒店（安徽省芜湖市鸠江区徽州路77号）

四、组织机构

主办单位：宽禁带半导体技术创新联盟

中国科学院物理研究所

承办单位：西安电子科技大学芜湖研究院

北京天科合达半导体股份有限公司