尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：

杭州镓仁半导体有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。

在会议期间，杭州镓仁半导体有限公司将在46号展台上展出产品，我们诚挚地邀请您莅临展台，与我们进行深入的交流和探讨，共同探索合作与发展的可能性。

扫码报名

杭州镓仁半导体有限公司

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市萧山区，是一家专注于超宽禁带半导体氧化镓单晶材料及氧化镓专用长晶设备研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中科院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队，获得十余项国际、国内发明专利，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化家单晶衬底。自2022年起，创造从2英寸到8英寸每年迭代一个尺寸的行业记录，在 2025 年全球规模最大的半导体行业盛会 SEMICON CHINA 上，杭州镓仁半导体有限公司全球首发8英寸氧化镓晶圆衬底，引领电力电子半导体创新，推动绿色零碳产业发展，并荣获“SEMI 可持续发展杰出贡献奖”。标志着中国在第四代半导体领域的产业竞争力迈入新阶段。2025年5月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工技术方面取得突破性进展，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，使用垂直布里奇曼（VB）法制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，该成果属国际上首次报道。

产品介绍

01 氧化镓专用VB法长晶设备

镓仁半导体此次推出的氧化镓专用晶体生长设备满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境。设备采用非铱（Ir）坩埚材料，可在空气气氛下工作。研发团队自主设计了独特的复合测温技术和控温算法，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。该设备实现了全自动化晶体生长流程，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。通过该设备制备的氧化镓晶体为柱状外形，通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，以适应不断发展的外延技术和器件需求。

02 VB法4英寸(010)面氧化镓单晶衬底

镓仁半导体基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，使用垂直布里奇曼（VB）法制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，该成果属国际上首次报道。此前，镓仁半导体采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出了100毫米氧化镓单晶，经过工艺迭代优化，成功实现了100毫米(010)面氧化镓单晶衬底的制备，同时开展了表征测试。测试结果显示：衬底内无孪晶，单晶衬底 XRD摇摆曲线半高宽(FWHM) 小于50 arcsec，衬底表面粗糙度（RMS）小于 0.1 nm，质量达到国际先进水平。

03 8英寸UID氧化镓衬底