英飞凌有望在2025年第四季度基于300mm晶圆向客户交付GaN样品

德国慕尼黑的英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）表示，其基于300mm晶圆的可扩展氮化镓（GaN）制造正按计划进行，首批样品将于2025年第四季度提供给客户，随着需求的持续增长，英飞凌将扩大其客户群并巩固其作为GaN市场领先集成器件制造商（IDM）的地位。Yole Group在其报告《功率SiC与GaN化合物半导体市场监测，2025年第一季度》中预测，面向功率应用的GaN市场将以每年36%的增长率增长，到2030年将达到约25亿美元。

英飞凌的能力涵盖所有三种相关材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，GaN可实现更小的设计，从而降低智能手机充电器、工业和仿人机器人或太阳能逆变器等电子设备的能耗和发热量。

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“我们全面扩展的300mm GaN制造规模将使我们能够更快地为客户提供最高的价值，同时向同等的硅与GaN产品的成本均等迈进。距离英飞凌宣布在300mm GaN晶圆技术上取得突破已有将近一年，我们很高兴地看到，我们的过渡进程进展顺利，而且业界已经认识到英飞凌的GaN技术在我们的IDM战略优势下所具有的重要性。”

英飞凌的制造战略主要依赖于IDM模式，即拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。英飞凌的内部制造战略被认为是市场上的一个关键差异化因素，具有高质量、更快的上市时间、卓越的设计和开发灵活性等优势。英飞凌在过去一年中推出了40多款新型GaN产品。英飞凌表示，其致力于为GaN客户提供支持，并可扩大产能，以满足客户对可靠的GaN功率解决方案的需求。

英飞凌以其技术为基础，宣称已成为首家在现有大批量制造基础设施内开发300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显著提高，因为晶圆直径更大，使得每片300mm晶圆产出的芯片数量为200mm晶圆的2.3倍。随着GaN功率半导体被迅速应用于工业、汽车、消费、计算与通信等应用，如人工智能系统的电源、太阳能逆变器、充电器与适配器或电机控制系统，这些增强的能力，加上英飞凌庞大的GaN专家团队和号称业界最广泛的知识产权组合，都是必不可少的。

来源：雅时化合物半导体

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