位于美国北卡罗来纳州罗利市的 Kyma Technologies 公司和位于日本埼玉县狭山市的 Novel Crystal Technology Inc (NCT) 正在合作开发氧化镓 (Ga2O3) 外延片,旨在加速 Ga2O3 器件在高压电力电子应用(包括电动汽车、可再生能源、航空航天和工业系统)中的商业化。

氧化镓相较于传统硅以及其他宽带隙材料,例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),具有显著优势,包括更高的击穿电场和更低的生产成本潜力。然而,一个主要的行业瓶颈仍然是器件级 Ga2O3 外延片的供应有限,这些外延片需要具有持续低缺陷率和可扩展的生产方法。

通过将 NCT 在生产高质量 Ga2O3 衬底方面的专业知识与 Kyma 的外延生长能力相结合,两家公司旨在开发适用于多 kV 级功率器件的大面积(直径 150 毫米)外延片的生产工艺。

Kyma 和 NCT 已合作多年。现在,Kyma 基于 NCT 衬底(直径最大可达 100 毫米)的 epi 服务已面向更广泛的研发领域销售。这些外延片有望赋能新一代功率半导体器件,使其在高要求应用中提供更高的效率和性能。对于正在进行的功率器件开发工作,Kyma 和 NCT 的技术团队将密切合作,包括满足客户的特定需求。

Kyma 总裁兼首席执行官 Heather Splawn 表示:“我们的合作充分利用了两家公司各自的优势技术,突破了 Ga2O3 外延片生产的界限。”她补充道:“Novel Crystal Technology 生产全球最优质的 Ga2O3 衬底,我们很高兴 Kyma 现在可以为客户提供在这些衬底上进行独特的外延生长技术。”

NCT 总裁兼首席执行官仓又朗人表示:“我们很高兴能与Kyma Technologies合作,进一步开发高质量的 Ga2O3 外延片。我们的目标是共同加速 Ga2O3 器件在全球范围内的应用,为关键行业和技术领域提供支持。”


来源:Novel Crystal Technology官网,亚洲氧化镓联盟编译整理。

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