新增6起SiC合作，聚焦主驱应用、高压超结等

近日，碳化硅领域新增多起合作，涉及基本半导体、东芝电子元件、宏微科技、英搏尔、芯华睿、新洁能等企业，有望持续推动碳化硅技术降本增效与规模化落地：

基本半导体：

与东芝、中汽芯达成SiC合作

近日，基本半导体在官微透露，他们相继与东芝电子元件、中汽芯达成了战略合作：

• 基本半导体&东芝电子元件

8月29日，基本半导体宣布与东芝电子元件正式签署战略合作协议，通过将双方拥有的先进碳化硅及IGBT芯片技术，与高性能、高可靠性功率模块技术相结合，为全球车载及工业市场提供更具竞争力的功率半导体解决方案。

具体来看，双方将围绕功率半导体技术研发、产业链协同及市场应用展开深度合作，通过联合研发突破关键技术瓶颈，共同开发更高性能、更高可靠性的功率模块产品，满足客户多样化需求，推动功率半导体在全球新能源汽车、工业领域的创新应用。

• 基本半导体&中汽芯

8月25日，基本半导体宣布与中汽芯（深圳）科技有限公司签署战略合作协议。此次战略合作的重点是车规级功率半导体，凭借基本半导体的碳化硅功率器件研发、设计及产业化能力，结合中汽芯在芯片功能安全、信息安全、可靠性验证认证以及国家标准研究的平台资源，双方优势互补，为功率与驱动芯片关键技术突破瓶颈提供双重保障。

未来，双方将依托在车规芯片研发与检测认证方面的核心能力，联合攻关功率与驱动芯片的功能安全与可靠性测试技术。通过构建“研发—测试—认证—应用”全周期服务体系，建立资源共享与优势互补机制。

宏微科技&怀柔实验室：

聚焦高压大电流SiC芯片

近日，宏微科技在官微透露，他们与怀柔实验室正式签署《碳化硅技术及成果转化合作协议》。双方旨在整合优势科研力量与成熟产业资源，聚焦碳化硅芯片、器件及模块在国家能源领域的应用。

此次战略合作将以产业转化平台（合资公司）为载体，攻克高压大电流碳化硅芯片设计、先进制造工艺、高可靠性封装等关键核心技术，并快速推向能源领域市场，特别是在新能源基地、柔性输配电等国家重大工程和示范项目中实现应用推广，打通创新示范与大规模量产融合通道。

官微显示，宏微科技成立于2006年，主营业务为功率半导体器件的设计、研发、制造及销售，主要产品包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC等芯片、分立器件、模块等功率半导体器件。

英搏尔&芯华睿：

开展埋入式封装等合作

8月11日，芯华睿在官微透露，他们凭借其在车规级功率半导体领域（IGBT/SiC芯片、模组、分立器件及嵌入式先进封装）的深厚积累，成为英搏尔实现电驱系统“集成化、轻量化”目标的核心技术伙伴。

具体来看，芯华睿与英搏尔的合作涉及前端技术共研、定制化封装方案等方面，芯华睿团队将深度参与英搏尔电驱平台设计，提供芯片-封装-散热一体化仿真方案，同时开展包括埋入式封装CIPB等创新功率模块研发，提升功率密度，缩减体积。

此外，芯华睿旗下东台工厂具备年产200万只模块产能，已完成完成IATF 16949车规级质量体系认证，可满足Si芯片锡焊，碳化硅银烧结，灌胶工艺，塑封工艺，终测等生产工艺需求。

官网透露，芯华睿成立于2021年，主要产品为应用于新能源汽车及光伏、储能领域的SiC/IGBT芯片、模块及分立器件等，掌握芯片设计、产品设计、模块工艺等关键技术。公司总部设立在上海，设有研发中心及可靠性实验室，在江苏省盐城东台市建立车规产品生产线。

新洁能&紫荆半导体：

加强SiC联合研发及产能协同

8月25日，紫荆半导体在官微透露，他们与新洁能正式签署战略合作协议，标志着双方将在半导体领域展开深度合作。

根据协议，紫荆半导体与新洁能将建立长期、稳定的战略合作伙伴关系，通过资源共享与优势互补，推动双方在技术研发、产品优化、市场开拓等方面的协同发展。值得关注的是，双方将重点围绕功率器件领域深化合作，特别是在碳化硅材料等第三代半导体技术方向加强联合研发与产能协同。

未来，双方将共同推进碳化硅功率器件、IGBT模块及MOSFET产品在新能源汽车、工业控制等关键领域的创新应用与市场拓展，助力提升国产高端功率半导体产品的自主可控能力。

Axcelis&GE Aerospace：

开发高压超结SiC器件

近日，Axcelis在官网宣布，他们将与通用电气航空航天公司联合开发6.5至10kV超结SiC功率器件，该工艺将采用Axcelis的高能离子注入机。

通用电气航空航天总工程师Ljubisa Stevanovic博士表示，高压碳化硅功率器件是众多关键新兴应用和未来发展的重要推动力，包括超音速飞行、太空探索等。他们一直致力于SiC的开发，以便未来能够在超音速飞行器和太空旅行等更极端的运行环境下，进一步保证电源开关的性能。

来源：行家说三代半

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