国联万众8英寸晶圆产线成功通线

近日，位于中关村顺义园的第三代半导体领军企业——北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）成功实现8英寸碳化硅（SiC）芯片晶圆工艺线通线。这一技术突破标志着我国在第三代半导体领域取得了重要进展，为国产半导体产业链升级注入强劲动能。

相较于6英寸晶圆，8英寸碳化硅（SiC）晶圆的生产效率更高，芯片单位成本更低，将显著提升企业市场竞争力。目前，该产线已进入产品优化及技术指标提升阶段，未来全面投产后，有望大幅提升产能与良率，进一步满足新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等领域的旺盛需求。

碳化硅晶圆8英寸与6英寸对比图

2025年上半年，国联万众碳化硅（SiC）营收达到2.95亿元，净利润约为1.06亿元，展现出强劲的市场增长态势。公司不仅是国内5G基站氮化镓（GaN）射频功放芯片主力供应商，其碳化硅（SiC）电力电子芯片技术更达到国际同步水平，部分产品性能甚至全球领先。未来，随着8英寸产线的产能释放，国联万众有望在国内外市场实现更大突破，加速国产替代进程。

来源：中关村顺义园

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