士兰微：8吋SiC一期项目竣工，计划明年试产

9月5日，据海沧区融媒体中心报道透露，第二十五届投洽会厦门团重大项目集中开竣工暨厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（一期）竣工仪式在海沧正式举行。

报道进一步透露，参加集中开竣工活动的项目总共10个，总投资超125亿元。其中包含士兰集宏、士兰集科、士兰明镓各1个项目，而厦门士兰集宏8寸碳化硅功率芯片制造生产线项目的建成投产，标志着海沧在打造特色工艺半导体芯片产业链的道路上迈出了坚实的一步。

据悉，士兰集宏项目分两期建设，总建筑面积达23.45万m2，一期投资70亿元，目前已初步通线，计划2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片；二期投产后，总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线，项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器等高需求领域，全面达产后，预计年产值超120亿元。

士兰微电子方面表示，项目投产后，可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

据“行家说三代半”此前报道，士兰微于2017年就开始进行碳化硅项目布局，投资金额和产能持续扩大，已经形成“士兰明镓-6英寸”与“士兰集宏-8英寸”两大 SiC 芯片生产线：

• 2017年，士兰微与厦门半导体投资集团在厦门签署投资合作协议，双方将在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，项目由双方参股公司士兰明镓负责，分为两期建设。

• 2021年8月，士兰微SiC功率器件中试线实现通线，并于2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发，计划向客户送样并开始量产。

• 2022年7月，士兰微发布公告称，士兰明镓将建设二期项目-“SiC 功率器件生产线项目”，总投资15亿元，项目达产后，将新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。

• 2024年6月，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工，并于今年2月完成全面封顶，并在同年6月提前搬入首台设备。

据士兰微公布2025年半年度报告透露，截至报告期内，士兰明镓已形成月产1万片6吋SiC-MOSFET芯片的生产能力，预计下半年6吋SiC芯片出货量将较快上升。

此外，上半年士兰微功率半导体和分立器件产品的营业收入达到30.08亿元，较去年同期增长约 25%。其中，应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）的营业收入较去年同期增长80%以上，基于士兰微自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计达2万颗。

来源：行家说三代半

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