DB HiTek（东部高科） 切入 650V GaN 工艺：从 BCD 到宽禁带的战略跃迁

在功率半导体的版图上，韩国 DB HiTek 一直以 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺闻名，如今它正把触角进一步伸向宽禁带领域。9 月 11 日，这家 8 英寸特色代工厂宣布，其 650V 增强型（E-Mode）GaN HEMT 工艺已进入最终开发阶段，并将在 10 月底推出 GaN MPW（多项目晶圆）服务，为客户验证和流片打开通道。

这意味着，继碳化硅（SiC）之后，GaN 正成为 DB HiTek 技术组合中的关键一环。公司发言人特别强调，正是凭借在硅基功率半导体的积累（例如业内首个 0.18μm BCDMOS 工艺），DB HiTek 才得以顺利过渡到化合物半导体。

650V E-Mode GaN 的应用落点

从性能参数来看，650V 增强型 GaN HEMT 在高速开关与运行稳定性上具备优势，目标市场明确对准三大场景：

• EV 充电基础设施 —— 高效率、紧凑化是直流快充的必然需求；
• 超大规模数据中心电源转换 —— 在 AI 带动的算力膨胀下，GaN 有望显著提升功率密度；
• 先进 5G 网络设备 —— 高频率应用对开关损耗和热管理的要求，使 GaN 成为理想选择。

值得注意的是，DB HiTek 并未止步于单一电压平台。公司计划在 2026 年底前推出 200V GaN 工艺，并针对芯片级集成优化，开发新的 650V GaN 工艺。换言之，其 GaN 平台将从快充、消费级电源，延伸到高压能源转换与系统级应用，形成分层布局。

产能扩展与代工逻辑

为了承接 GaN 与 SiC 的潜在订单，DB HiTek 正在扩建位于忠清北道的 Fab2 无尘室。扩建完成后，将新增月产能 35,000 片 8 英寸晶圆，涵盖 GaN、BCDMOS 与 SiC 工艺。届时公司整体产能将从 154,000 片提升至 190,000 片，增幅约 23%。

这种布局凸显了 DB HiTek 的定位——既保持在 BCDMOS 等传统强项上的出货稳定，又通过 GaN、SiC 打开高增长的新市场。从产业视角看，GaN MPW 的推出更像是一种“生态前置”，先把设计公司和系统客户引入，再通过产能扩张锁定未来量产。

从 BCD 到 SiC，再到 650V GaN，DB HiTek 正在完成一次战略性的跨越。它不再只是“硅工艺里的老玩家”，而是希望在新材料竞争的浪潮中，成为值得依赖的代工平台。

来源：三代半食堂

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。