富加镓业MOCVD外延片助力氧化镓功率器件全链路贯通

近日，基于杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）提供的高质量MOCVD厚膜外延片，福州大学团队成功制备出高性能氧化镓垂直型功率肖特基二极管，在公开发表的基于MOCVD外延制备的功率肖特基二极管中，PFOM性能国际最优（3.07 GW/cm2）；从产业应用角度，在公开发表的基于MOCVD和HVPE外延制备的氧化镓功率肖特基二极管中，导通电压与耐压的综合性能最优。该工作于2025年9月2日发表在Applied Physics Letters（
https://doi.org/10.1063/5.0276330）上。

研究团队通过器件终端结构设计和工艺创新，制备具有部分悬空场板的肖特基二极管器件，优化器件边缘表面电场分布并降低介质层内电场分布，有效避免提前击穿的发生，提升器件耐压水平，实现3.45 kV的高击穿电压、3.88 mΩ·cm2的低比导通电阻以及1.25 V的低导通压降。

除了器件终端结构设计和工艺创新外，高质量的外延层，尤其是外延薄膜的迁移率，是制备高性能氧化镓功率器件的关键。外延薄膜的迁移率与功率器件的导通损耗密切相关，直接反映了外延薄膜的杂质散射和缺陷密度水平。上述工作中所用MOCVD外延片的相同工艺制备的霍尔测试陪片的迁移率在~150 cm2/(V·s)，有力支撑了高性能氧化镓功率器件的实现。

随后，富加镓业在氧化镓MOCVD同质外延技术方面再次取得突破，经国家权威检测机构——中国计量科学研究院测试表明，厚度超10μm的氧化镓同质外延片的迁移率达到181.6 cm2/V·s，基于该外延工艺的6英寸氧化镓同质外延片的器件流片工作正在进行中。

未来富加镓业将为下游科研与产业用户提供高质量氧化镓外延片产品，助力我国高性能氧化镓功率器件的全产业链贯通，加速氧化镓高压大功率电力电子器件产业的快速落地。

产品介绍：

设备：

公司研制了国际上首台具备“一键长晶”EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。

公司自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

公司结合氧化镓脆性、容易解理特点，研发了2-6英寸氧化镓单晶衬底研磨抛光设备，并根据客户需要可提供成熟的研磨抛光及清洗工艺包。

单晶及外延片：

公司已经建立企业标准2项，获得ISO9001质量体系认证，向市场提供10mm至6英寸的多种晶向的氧化镓单晶衬底10mm至6英寸的MOCVD氧化镓外延片及10×15mm MBE氧化镓外延片。

来源：杭州富加镓业科技有限公司

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