【成员风采】深圳平湖实验室两项成果亮相ICSCRM

2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会议之一，本次会议聚焦功率器件、材料科学及新兴应用等前沿议题。会议包含主题演讲、技术展示和产业交流环节，吸引全球专家学者及产业链上下游企业参与。

深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。其中，

深圳平湖实验室第三代跃升课题组展示了1项成果（1篇墙报），报告作者为支海朝博士。研究内容基于已授权中国专利（CN118352396B）以及已公开的中国专利申请（CN119767744A），报告讨论基于碳化硅外延回填工艺，全flow无需离子注入即可实现具有侧壁寄生p-MOS 的碳化硅沟槽栅MOSFET器件。通过单粒子辐照TCAD仿真，证实该MOSFET结构具有高抗单粒子辐照特性。报告获得较多与会专家关注，支海朝博士与AIST、SUNY Albany、Fraunhofer IISB、ST、U of Warwick、centrotherm、三安等学校和公司专家就相关内容进行深入讲解与交流。

深圳平湖实验室碳化硅课题组展示了另外1项成果（1篇墙报），报告作者为朱磊，报道了深圳平湖实验室基于自有8英寸碳化硅工艺平台以及已授权中国专利（CN118610269B）成功实现了倒T型自对准深P+离子注入掩蔽结构沟槽栅碳化硅MOSFET器件。该器件实现雪崩电压>1500V，比导通电阻~1.9mΩcm2，阈值电压~3V，并通过1000h HTRB&HTGB可靠性测试。该项工作表明实验室平台已具有较高的设计能力和工艺水平。

未来，深圳平湖实验室将持续深耕宽禁带半导体领域，以国际交流为契机，加快科研成果转化，为推动产业高质量发展贡献中国科研力量。

来源：深圳平湖实验室

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