从核心材料到无线供电：氮化镓技术绘制能源电子应用新蓝图 - 新闻通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

随着能源转型与低碳化发展深入推进，氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体的核心材料，凭借其高击穿场强、高电子迁移率、优越的热稳定性和高频特性，成为制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料，在电子、能源、通信、汽车等多个领域，展现出替代传统硅基器件的巨大潜力。

然而，氮化镓产业化仍面临重要挑战。当前GaN基器件大多基于异质衬底（如硅、碳化硅、蓝宝石）制备，受限于单晶衬底的尺寸、成本与晶体质量，制约了器件性能的进一步提升。尤其是在高频、高功率应用场景下，衬底材料的缺陷密度、热管理能力和界面质量控制成为影响器件可靠性的关键因素。

在材料生长领域，氨热法氮化镓单晶技术近年取得显著进展。与传统氢化物气相外延（HVPE）方法相比，氨热法可在相对温和的条件下实现高质量体块单晶生长，有效控制位错密度和应力分布。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所任国强研究员团队在超高压生长装备研制、晶体生长习性调控方面取得突破性进展，为氮化镓衬底成本下降和质量提升提供关键技术支撑。

器件应用层面，氮化镓的独特优势正催生创新应用场景。江南大学敖金平教授团队开发的常关型功率器件和微波整流器，将氮化镓的高频特性与功率处理能力完美结合。各频段的RF/DC整流效率达到了80-90%，成功演示米级距离微波无线供电，为微波无线供电技术的推广应用打下了坚实的技术基础。

为促进产业链协同创新，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于11月25日-27日在郑州举行。会议将聚焦8英寸SiC技术优化、GaN基器件产业化突破以及氧化镓与金刚石等超宽禁带半导体前沿议题，为产学研用深度融合搭建高水平交流平台。

届时，两位氮化镓领域的权威专家将带来前沿技术报告。

任国强研究员：氨热法氮化镓单晶生长研究进展

嘉宾介绍：

任国强，中科院苏州纳米所研究员；纳安半导体科技（苏州）有限公司总经理，苏州领军创业人才。主要从事氮化镓体单晶生长及物性表征研究。在国际上较早地采用HVPE法实现了2英寸氮化镓单晶厘米级厚度的生长；在国内率先开展了氮化镓氨热生长的工作，实现了氨热法超高压生长装备和生长技术的重要突破，位错密度降至1E4cm-2量级。主持了国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项子课题、国家部委项目、国家自然科学基金面上项目及青年基金、中国科学院科研设备研制项目、江苏省重点研发项目及江苏省工业支撑重点项目、苏州市应用基础项目等。在CGCT、IFWS、IUMRS、NDNC、全国晶体生长会议、全国MOCVD会议、宽禁带半导体会议等国际国内会议做报告20余次，任《人工晶体学报》编委。将系统解析氨热法GaN单晶生长的最新突破。

任国强研究员将分享其团队在氨热法超高压生长装备自主研制、晶体缺陷控制及杂质精准调控方面的创新成果，并对GaN单晶材料的未来发展趋势作出展望，为突破高性能GaN器件衬底瓶颈提供关键技术路径。

敖金平教授：氮化镓电子器件的研究与应用

嘉宾介绍：

敖金平，江南大学教授，博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员。1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师，从事 GaAs高速电子器件、集成电路和光电集成电路的研究工作。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授，博士生导师。2022年1月加入江南大学。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有三十多项发明专利。

敖金平教授将介绍团队在氮化镓半导体器件的研究与应用方面的工作，包括常关型（增强型）氮化镓功率器件和微波器件等。作为新的应用探索，开发了GaN微波肖特基二极管(SBD)和微波整流器，用于微波无线供电技术。源于优秀的二极管器件性能和精确的微波电路设计，各频段的RF/DC整流效率达到了80-90%。在低功率应用方面，在工作频率915 MHz、输入功率0 dBm (1 mW)和-10 dBm (0.1 mW)的条件下，RF/DC转换效率分别达到77%和55%。在5.8 GHz的频率和输入功率0 dBm时，RF/DC转换效率也达到了47%。

PART.01

会议信息

APCSCRM 2025 Information

一、会议名称/Conference

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）

The 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025)

二、会议时间/Date

2025年11月25日——11月27日

November 25-27，2025

三、会议地点/Location

中国·河南省郑州市·中原国际会展中心-会议中心

Central China International Convention and Exhibition Centre (CCIEC)-Conference Center

四、会议官网/Website

https://apcscrm2025.casconf.cn

五、组织机构/Organization

六、会议安排/Schedule

七、报名参会/Register

请登录会议官网，完成注册报名：

https://apcscrm2025.casconf.cn

八、联系方式/Contact

商务合作 Business cooperation

陈老师 Ms. Chen：86-13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com

征文投稿 Submission

刘老师Ms. Liu：86-18931699592

E-mail: mishuchu@iawbs.com

参会报名 Participant Registration

周老师 Ms. Zhou：86-17854177403

E-mail: apcscrm@iawbs.com

PART.02

部分报告嘉宾

Part of Speak guests

嘉宾持续更新中......

Updating......

按照姓名首字母排列

Alphabetically by name

PART.03

参展及赞助

Business Cooperation

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）同期设置宽禁带半导体产业专业展区，集中展示耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品，我们诚邀行业内企业、科研机构加入到此次盛会中，展示贵公司实力、扩大品牌影响力，共同推动碳化硅及相关材料领域的繁荣发展！

A professional wide bandgapsemiconductor industry exhibition will beheld concurrently with APCSCRM 2025 ltserves as a central platform to spotlightthe latest technologies, products, andinnovations in fields ranging fromconsumables and smart equipment toadvanced materials, devices, packaging &testing, and final applications. We warmlyinvite your participation! Join industryleaders and research institutes at thispremier gathering to showcase yourcapabilities, amplify your brand, andcontribute to advancing the SiC and relatedmaterials industry.

展位图

Exhibit Booth Floor Plan

部分赞助单位

Partial List of Exhibitors

更多企业持续更新中...

More Exhibitors to Be Announced

更多赞助信息详情请点击下方链接：

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商务咨询/Contact ：

Ms. Chen/13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com

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PART.04

成果征集

Call For Paper

我们期待您近一年内正式发表或未发表已有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文的，围绕宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）领域，在理论或应用实践上具有创新价值的前沿成果。

We look forward to your formal orunpublished technical reports withscientific basis and reliable data withinthe past year, interim achievementreports, as well as outlook and reviewpapers on cutting-edge technologiesthat have guiding significance for thedevelopment of the wide bandgapsemiconducter discipline, focusing on thefield of wide bandgap semiconductors (SiC,GaN, GazO;, AlN, diamond, etc.) Cuttingedge achievements with innovative value intheory or practical application.

Click below to learn about the submission guidelines：

征集范围（包括但不限于）

材料与生长：晶体与外延生长、新型生长技术、基础材料研究、材料加工技术等。
缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技术、表征技术等。
装备设计、工艺和特性
器件设计、工艺和测试：器件工艺及设计、新型器件和特性、建模和仿真、新型测试和表征技术等
封装与可靠性及其应用

成果形式：

学术论文、专利、专著、检测方法、技术报告、产品原型等。

征集要求

成果需具备原创性、先进性和实用性，具有重要学术或应用推广价值。
不存在知识产权争议或其它法律纠纷，不涉及国家秘密。
请按要求填写中英双语成果征集表（见附件），如是未发表论文，请参照会议摘要模板提交，优秀稿件全文将有机会推荐至《Materials》《Molecules》《Electronics》《Crystals》等权威期刊。
投稿截止日期：2025年11月5日
请将填写好的征集表发送至邮箱：mishuchu@iawbs.com，邮件标题请注明“姓名+单位+APCSCRM 2025科研成果征集”。

报名参会

Registration

请登录会议官网，完成注册报名：

Please scan the following code to register through APCSCRM official website:

https://apcscrm2025.casconf.cn