目前碳化硅产业与传统的硅产业相比，仍存在差距，特别是在材料制备、晶圆加工和器件制造环节，仍面临着成本、良率和长期可靠性的多重挑战，这些因素共同制约了碳化硅技术大规模商业化应用的进程。

当前碳化硅产业发展的难题一部分集中于材料质量与工艺控制。在材料端，碳化硅衬底中的位错缺陷，如基平面位错、螺纹位错和凹陷缺陷，会在外延过程中复制甚至扩大，最终导致器件性能退化或早期失效。目前行业标准的腐蚀法检测不仅会造成晶圆的永久性损坏，还因抽样统计的不确定性而无法实现全检，这使得外延和器件厂商难以准确预测和提升良率。

在器件制造端，晶圆表面的金属污染、晶格位错、表面形貌等质量问题会直接影响外延层的生长质量以及最终器件的可靠性和寿命。特别是随着电动车主驱逆变器等应用对功率模块可靠性要求的不断提高，对碳化硅材料质量的监控要求也日益严格。

在应对碳化硅材料坚硬、宽禁带、高熔点等新特性时，现有检测方法普遍存在灵敏度不足、分析效率低下或属于破坏性分析等问题，难以满足大规模量产对“在线、无损、高精度、全谱系”的管控需求。因此亟需引入下一代全链条检测技术。

在本届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）上，我们特别邀请到三位在碳化硅材料分析、检测与质量控制领域具有深厚技术积累的行业专家，他们将分别从缺陷无损检测、表面污染提取分析、杂质表征技术等不同维度，分享一系列创新解决方案，为产业链上下游企业突破现有技术瓶颈提供新的思路和方法。

大连创锐光谱科技有限公司总经理陈俞忠将带来题为"SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效"的技术报告。

创锐光谱开发的基于瞬态吸收/反射成像的衬底位错光学无损检测技术可以在较短的时间内（6寸晶圆约15 min）实现对SiC衬底三种位错缺陷的无损检测，这项技术不仅帮助衬底厂家避免因破坏性检测带来的产能损失，为衬底生产厂家节约近五分之一的生产成本。同时，无损检测技术的应用，使得从衬底—外延—器件的全链缺陷追踪成为可能。创锐光谱利用该设备，研究发现外延中的致命型缺陷（对器件而言）普遍出现在衬底上的位错高密度区，且产生的概率与衬底位错缺陷的密度呈正相关关系。这使得人们可以通过衬底位错缺陷的情况，来预测外延乃至器件的良率，不合格的产品可以尽早的剔除，不再进入后续的工艺流程，最终实现器件端良率的提升。


嘉宾介绍：

陈俞忠博士长期从事超快光谱学在半导体材料与器件中的应用研究，先后在浙江大学与清华大学开展科研工作，参与多项国家及省部级科研项目，科研成果入选“中国光学十大进展”，并在国际高水平期刊发表多篇论文。作为大连创锐光谱技术有限公司总经理，陈博士带领团队在碳化硅（SiC）衬底位错缺陷的光学无损检测技术上取得多项突破，实现了在SiC晶锭，晶圆中的位错缺陷的无损检测，大幅提升了晶圆良率预测与缺陷分析效率，为SiC产业链降本增效提供了重要支撑。

无锡华瑛微电子技术有限公司董事长兼技术副总裁温子瑛将分享"创新的动态薄层提取技术与SiC晶圆表面金属污染的检测分析"的最新研究成果。

碳化硅晶圆表面对铁、铜、镍等金属污染物具有比硅更强的吸附能力，这些金属杂质在外延和高温工艺过程中会扩散到材料内部，形成载流子复合中心，导致器件漏电流增加、可靠性下降。传统湿化学法在提取效率和方法灵活性上存在不足，难以满足先进制程对污染控制的严苛要求。华瑛微电子通过开发的动态薄层污染提取方法，并结合高灵敏检测技术，显著提升了污染检测能力。针对SiC晶圆表面亲水性强以及对部分污染物吸附力高于单晶硅的特点，设计了一套能够有效检测其表面多种金属污染物的系统。实验表明，通过优选化学配方并精确控制流体与污染物的反应条件，该方法可有效提升金属污染物的提取效率。该技术不仅在检测精度与方法灵活性方面具有明显优势，也为SiC晶圆表面的金属污染监测提供了实用解决方案。这一创新突破了传统方法的局限，对SiC晶圆制造及相关芯片工艺优化具有重要支撑作用。


嘉宾介绍：

温子瑛女士毕业于美国纽约市立大学。是半导体晶圆表面动态薄层(DTL)化学处理技术的原创设计人，拥有国际发明专利37项，国内发明专利40项。在半导体行业有三十多年的工作经验。分别在美国ChemTrace公司，富士通微电子（美国）的闪存芯片厂担任高级化学工程师。2002年在美国创立DTL Technologies公司，担任公司的CTO。2003-2008年与Intel合作，开发动态薄层技术在晶圆表面化学处理的应用。2008年创建无锡华瑛微电子技术有限公司，带领公司完成了动态薄层技术的产品平台建设，3款产品从0到1的研发，从1到N的市场优化。目前在华瑛主要负责公司的研发工作。


来自Toray的Seishi Akahori研究员将深入探讨"二次离子质谱法对SiC中杂质的表征"技术的最新进展。

二次离子质谱作为材料成分分析的重要手段，在表征碳化硅中的掺杂元素和杂质分布时面临着质量干扰、矩阵效应和分辨率限制等挑战。Akahori先生的研究团队通过将飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）和纳米级二次离子质谱（NanoSIMS）等高分辨率分析技术与特殊的样品制备方法相结合，实现了对碳化硅器件截面中杂质和掺杂元素分布的高空间分辨率成像。这些技术使得观察工艺诱导的杂质扩散行为、界面缺陷分布等previously难以解析的特征成为可能，为理解碳禁带半导体材料的工艺-结构-性能关系提供了重要见解，对优化器件制造工艺、提升产品一致性和可靠性具有重要指导意义。



PART.01


会议信息

APCSCRM 2025 Information


一、会议名称/Conference

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）

The 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025)

二、会议时间/Date

2025年11月25日——11月27日

November 25-27，2025

三、会议地点/Location

中国·河南省郑州市·中原国际会展中心-会议中心

Central China International Convention and Exhibition Centre (CCIEC)-Conference Center

四、会议官网/Website

https://apcscrm2025.casconf.cn

五、组织机构/Organization


六、会议安排/Schedule

七、报名参会/Register


请登录会议官网，完成注册报名：

https://apcscrm2025.casconf.cn


八、联系方式/Contact

商务合作 Business cooperation

陈老师 Ms. Chen：86-13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com

征文投稿 Submission

刘老师Ms. Liu：86-18931699592

E-mail: mishuchu@iawbs.com

参会报名 Participant Registration

周老师 Ms. Zhou：86-17854177403

E-mail: apcscrm@iawbs.com


PART.02

部分报告嘉宾

Part of Speak guests

PART.03


参展及赞助

Business Cooperation

第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）同期设置宽禁带半导体产业专业展区，集中展示耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品，我们诚邀行业内企业、科研机构加入到此次盛会中，展示贵公司实力、扩大品牌影响力，共同推动碳化硅及相关材料领域的繁荣发展！

A professional wide bandgapsemiconductor industry exhibition will beheld concurrently with APCSCRM 2025 ltserves as a central platform to spotlightthe latest technologies, products, andinnovations in fields ranging fromconsumables and smart equipment toadvanced materials, devices, packaging &testing, and final applications. We warmlyinvite your participation! join industryleaders and research institutes at thispremier gathering to showcase yourcapabilities, amplify your brand, andcontribute to advancing the SiC and relatedmaterials industry.


展位图

Exhibit Booth Floor Plan


部分赞助单位

Partial List of Exhibitors

更多企业持续更新中...

More Exhibitors to Be Announced

更多赞助信息详情请点击下方链接：

For more exhibition details, please click on the link below:

商务咨询/Contact ：

Ms. Chen/13155757628

E-mail：lianmeng@iawbs.com


扫码立刻报名

Scan to Register


PART.04

01


成果征集

Call For Paper


我们期待您近一年内正式发表或未发表已有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文的，围绕宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）领域，在理论或应用实践上具有创新价值的前沿成果。

We look forward to your formal orunpublished technical reports withscientific basis and reliable data withinthe past year,interim achievementreports, as well as outlook and reviewpapers on cutting-edge technologiesthat have guiding significance for thedevelopment of the wide bandgapsemiconducter discipline, focusing on thefield of wide bandgap semiconductors (SiC,GaN, Ga2O3:, AlN, diamond, etc.) Cuttingedge achievements with innovative value intheory or practical application.


Click below to learn about the submission guidelines：

01

征集范围（包括但不限于）


材料与生长：晶体与外延生长、新型生长技术、基础材料研究、材料加工技术等。


缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技术、表征技术等。


装备设计、工艺和特性


器件设计、工艺和测试：器件工艺及设计、新型器件和特性、建模和仿真、新型测试和表征技术等


封装与可靠性及其应用

02

成果形式：


学术论文、专利、专著、检测方法、技术报告、产品原型等。

03

征集要求


  1. 成果需具备原创性、先进性和实用性，具有重要学术或应用推广价值。
  2. 不存在知识产权争议或其它法律纠纷，不涉及国家秘密。
  3. 请按要求填写中英双语成果征集表（见附件），如是未发表论文，请参照会议摘要模板提交，优秀稿件全文将有机会推荐至《Materials》《Molecules》《Electronics》《Crystals》等权威期刊。
  4. 投稿截止日期：2025年11月5日

  5. 路过
    雷人
    握手
    鲜花
    鸡蛋
    上一篇：锁定APCSCRM 2025，与产业领袖共话未来！下一篇：12英寸碳化硅时代加速到来！国内领军企业齐聚APCSCRM 2025